买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司申请的专利太阳能电池、其制备方法及光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119584679B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411698208.5，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权太阳能电池、其制备方法及光伏组件是由储余;张倬涵;黄纪德;刘长明;张昕宇;金浩设计研发完成，并于2024-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本太阳能电池、其制备方法及光伏组件在说明书摘要公布了：本申请提供了一种太阳能电池、其制备方法及光伏组件。该太阳能电池的制备方法，包括：提供衬底；在背面形成第一复合层；在第一复合层背离衬底的一侧形成硼硅玻璃；去除部分硼硅玻璃和部分P型掺杂多晶硅层；对表面裸露的P型掺杂多晶硅层进行掺杂形成N型掺杂多晶硅层；对部分预备电池结构的背面进行刻蚀处理；对预备电池结构的正面进行制绒处理，并在预备电池结构进行刻蚀处理之后的结构的正面和背面形成钝化层和减反射层；在预备电池结构的背面形成电极，形成太阳能电池；本申请通过局部去除硼硅玻璃，对裸露的p‑poly补偿反型形成n‑poly，从而取消沉积第二次poly的步骤，简化了工艺流程，降低了生产制造成本。

本发明授权太阳能电池、其制备方法及光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底具有正面和背面； 在所述背面形成第一复合层，所述第一复合层包括隧穿钝化层和P型掺杂多晶硅层； 在所述第一复合层背离所述衬底的一侧形成硼硅玻璃； 去除部分硼硅玻璃和部分所述P型掺杂多晶硅层，使得部分所述P型掺杂多晶硅层裸露； 对表面裸露的所述P型掺杂多晶硅层进行掺杂形成N型掺杂多晶硅层，至此形成预备电池结构； 对部分所述预备电池结构的背面进行刻蚀处理，以使所述N型掺杂多晶硅层与所述P型掺杂多晶硅层间隔开，且所述衬底的背面具有裸露区域； 对所述预备电池结构的正面进行制绒处理，并在所述预备电池结构进行所述刻蚀处理之后的结构的正面和背面形成钝化层和减反射层，位于所述预备电池结构背面的钝化层覆盖所述P型掺杂多晶硅层、所述裸露区域和所述N型掺杂多晶硅层； 在所述预备电池结构的背面形成电极，所述电极贯穿所述钝化层和所述减反射层与所述P型掺杂多晶硅层或所述N型掺杂多晶硅层接触，形成所述太阳能电池。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司，其通讯地址为：334100 江西省上饶市经济技术开发区迎宾大道1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。