中山大学张志鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉中山大学申请的专利一种氧化镓光探测器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119584684B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411727403.6，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种氧化镓光探测器及制备方法是由张志鹏;陈军;陈满妮;邓少芝;许宁生设计研发完成，并于2024-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氧化镓光探测器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及光探测器领域，更具体地，涉及一种氧化镓光探测器及制备方法，本发明在衬底表面制备预设元素掺杂的氧化镓薄膜，对预设元素掺杂的氧化镓薄膜表面的预设区域同时进行激光照射和离子轰击处理，得到用于电荷传输的空间电荷区。本发明还公开了氧化镓光探测器。本发明通过掺杂技术，不仅调控了氧化镓薄膜的电学特性，又降低了氧化镓的结晶温度，并通过同时对氧化镓薄膜进行激光照射和离子轰击处理，实现氧化镓薄膜的空间电荷区的定域制备，从而实现高灵敏度光探测器。
本发明授权一种氧化镓光探测器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氧化镓光探测器制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：在衬底表面制备预设元素掺杂的氧化镓薄膜； S2：对预设元素掺杂的氧化镓薄膜表面的预设区域在真空环境中同时进行激光照射和离子轰击处理，根据激光照射和离子轰击的边界得到用于电荷传输的空间电荷区；其中，所述对预设元素掺杂的氧化镓薄膜表面的预设区域在真空环境中同时进行激光照射和离子轰击处理，包括： 所述真空环境为气体压强低于1×10-2Pa； 通过预设光功率密度和预设照射时间的激光照射在预设元素掺杂的氧化镓薄膜表面，同时通过预设离子束流的离子轰击在预设元素掺杂的氧化镓薄膜表面； 所述离子轰击采用的离子源包括氮离子、氧离子、氩离子、硼离子、磷离子、砷离子、锗离子、铝离子的一种或多种组合； S3：在预设元素掺杂的氧化镓薄膜表面制备正电极和负电极，得到氧化镓光探测器。
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