深圳技术大学钟健获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳技术大学申请的专利一种微弱磁场测量仪器及其测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119619925B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411801141.3，技术领域涉及：G01R33/02；该发明授权一种微弱磁场测量仪器及其测量方法是由钟健;谭钰斌;张耀仁;麦靖怡;邓梓欣;冯倩怡;曹磊峰;周沧涛;阮双琛设计研发完成，并于2024-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种微弱磁场测量仪器及其测量方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种微弱磁场测量仪器及其测量方法，属于微弱磁场测量技术领域；微弱磁场测量仪器包括安装平台，所述安装平台上设置有薄膜压敏传感器和两个软磁体，所述薄膜压敏传感器的压电片设置于两个所述软磁体之间，薄膜压敏传感器的信号线与外部电信号装置电性连接，两个软磁体之间设置有测试磁铁；利用两个软磁体通过退磁场效应获得放大磁场，然后通过放大磁场使软磁体、软磁体之间的磁铁向压力传感器施加压力来输出特定的信号，最后利用输出信号获得外界微弱磁场的磁场强度和方向。
本发明授权一种微弱磁场测量仪器及其测量方法在权利要求书中公布了：1.一种微弱磁场测量仪器，其特征在于，包括安装平台，所述安装平台上设置有薄膜压敏传感器和两个软磁体，两个所述软磁体之间设置有测试磁铁，将测试磁铁吸附在其中一个软磁体上，所述薄膜压敏传感器的压电片设置于所述测试磁铁和其中一个软磁体之间，将没有吸附测试磁铁的软磁体固定，测试磁铁7会将两个软磁体磁化，从而在两个软磁体3之间产生一个退磁场，薄膜压敏传感器的信号线与外部电信号装置电性连接； 所述安装平台的上端面设置有玻璃板，所述玻璃板的上端面设置有两个所述软磁体；玻璃板中部位置设置有缝隙，所述薄膜压敏传感器的压电片穿过所述缝隙位于两个软磁体之间； 两个所述软磁体均呈T形结构，两个软磁体以所述薄膜压敏传感器的压电片的位置对称布置，两个软磁体的凸起端分别位于薄膜压敏传感器的压电片两侧。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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