长江存储科技有限责任公司崔佳萌获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利存储器装置及其操作方法、存储器系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119673253B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311220221.5，技术领域涉及：G11C16/14；该发明授权存储器装置及其操作方法、存储器系统是由崔佳萌;贾建权;游开开;王均保;熊文豪;祁卫;张安设计研发完成，并于2023-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器装置及其操作方法、存储器系统在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种存储器装置及其操作方法、存储器系统，其中，存储器装置，包括：存储单元阵列，包括堆叠且相邻设置的第一存储堆栈和第二存储堆栈；外围电路，与存储单元阵列耦接，且被配置为：对第一存储堆栈中的选中存储单元层进行编程操作时，向选中存储单元层对应的字线层施加编程电压，并向第一存储堆栈中的未选中存储单元层对应的字线层施加第一通过电压；向第二存储堆栈中的多个存储单元层对应的字线层施加第二通过电压；以及向第一存储堆栈和第二存储堆栈的交接位置处的至少一个虚设存储单元层对应的虚设字线层施加第三通过电压；其中，第三通过电压小于第二通过电压，第二通过电压小于第一通过电压。
本发明授权存储器装置及其操作方法、存储器系统在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，其特征在于，包括： 存储单元阵列，包括堆叠且相邻设置的第一存储堆栈和第二存储堆栈；所述第一存储堆栈和所述第二存储堆栈均包括多个存储单元层以及对应每个存储单元层的字线层，所述第一存储堆栈和所述第二存储堆栈的交接位置处设置有至少一个虚设存储单元层及对应每个虚设存储单元层的虚设字线层； 外围电路，与所述存储单元阵列耦接，且被配置为： 对所述第一存储堆栈中的选中存储单元层进行编程操作时，向所述选中存储单元层对应的字线层施加编程电压，并向所述第一存储堆栈中的未选中存储单元层对应的字线层施加第一通过电压； 向所述第二存储堆栈中的多个存储单元层对应的字线层施加第二通过电压；以及 向所述第一存储堆栈和所述第二存储堆栈的交接位置处的至少一个虚设存储单元层对应的虚设字线层施加第三通过电压； 其中，所述第三通过电压小于所述第二通过电压，所述第二通过电压小于所述第一通过电压。
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