北京芯力技术创新中心有限公司刘括获国家专利权
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龙图腾网获悉北京芯力技术创新中心有限公司申请的专利芯片的制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119673855B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510186235.2,技术领域涉及:H01L21/683;该发明授权芯片的制备方法是由刘括;王阳;章莱设计研发完成,并于2025-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片的制备方法在说明书摘要公布了:本申请公开了一种芯片的制备方法,适用于半导体技术领域,该制备方法包括,将晶圆粘贴到切割胶带上,切割胶带包括靠近晶圆一侧的第一表面,以及设置于第一表面的阻挡层,阻挡层从第一表面延伸至切割胶带内,且阻挡层的靠近晶圆一侧的表面与第一表面齐平,晶圆包括切割道,切割道在第一表面上的正投影,位于阻挡层所在的区域范围内。对晶圆的切割道进行切割,以将晶圆切割成多个芯片。本申请的技术方案实现了芯片制备精度的提升。
本发明授权芯片的制备方法在权利要求书中公布了:1.一种芯片的制备方法,其特征在于,包括: 将晶圆粘贴到切割胶带上,所述切割胶带包括靠近所述晶圆一侧的第一表面,以及设置于所述第一表面的阻挡层,所述阻挡层从所述第一表面延伸至所述切割胶带内,且所述阻挡层的靠近所述晶圆一侧的表面与所述第一表面齐平,所述阻挡层的材料包括导电材料,所述阻挡层接地;所述晶圆包括切割道,所述切割道在所述第一表面上的正投影,位于所述阻挡层所在的区域范围内; 采用等离子体刻蚀工艺,对所述晶圆的切割道进行切割,以将所述晶圆切割成多个芯片。
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