厦门乾照光电股份有限公司唐阳获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门乾照光电股份有限公司申请的专利一种LED芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119677260B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411770114.4，技术领域涉及：H10H20/841；该发明授权一种LED芯片及其制作方法是由唐阳;王恩泽;高俊;杨德佑;潘健设计研发完成，并于2024-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种LED芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种LED芯片及其制作方法，LED芯片包括：衬底；设于衬底一侧表面并沿第一方向依次布设的第一型半导体层、有源层、第二型半导体层、第一钝化层、反射层和第二钝化层；第一方向垂直于衬底并由衬底指向有源层；反射层靠近第一钝化层的一侧设有若干阵列设置的凹槽，各凹槽的开口朝向第一钝化层，且各凹槽的槽壁为曲面，以将进入凹槽的光整形收束后反射至出光面；与第一型半导体层电连接的第一电极；与第二型半导体层电连接的第二电极。该LED芯片能够减小光在LED芯片出光面的入射角度，进而降低光线被全反射的概率，提高光提取效率。
本发明授权一种LED芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种LED芯片，其特征在于，包括： 衬底； 设于所述衬底一侧表面并沿第一方向依次布设的第一型半导体层、有源层、第二型半导体层、第一钝化层、反射层和第二钝化层；所述第一方向垂直于所述衬底并由所述衬底指向所述有源层；所述反射层靠近所述第一钝化层的一侧设有若干阵列设置的凹槽，各所述凹槽的开口朝向所述第一钝化层，且各所述凹槽的槽壁为曲面，以将进入所述凹槽的光整形收束后反射至出光面； 位于所述衬底背离所述有源层表面的中间层；所述中间层的折射率小于所述衬底的折射率，并大于空气的折射率； 所述中间层背离所述有源层的表面设有若干阵列设置的第二凸起；所述第二凸起沿背离所述第一方向的方向凸出；出射光进入所述中间层后所述第二凸起使得达到反射条件的出射光的反射方向偏向所述反射层中凹槽槽壁的焦点，以降低出射光第二次到达中间层时的入射角度得以输出； 与所述第一型半导体层电连接的第一电极； 与所述第二型半导体层电连接的第二电极。
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