买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司申请的专利MOS器件和MOS器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119698040B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411917708.3，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权MOS器件和MOS器件的制备方法是由李辉斌;李理;邱舜国;宋旋坤;刘颖聪设计研发完成，并于2024-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本MOS器件和MOS器件的制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种MOS器件和MOS器件的制备方法，包括至少一个源极沟槽结构，位于相邻两个第一侧面之间并与源区结构接触设置，源极沟槽结构包括第一栅极、第二栅极、第一介质层和第二介质层，第一介质层位于第一栅极和第二栅极之间，第一栅极、第二栅极和第一介质层构成第一结构，第二介质层分别位于第一结构的侧面和底面并与源区结构和漂移层接触，第一介质层至少包括由第二方向叠层设置第一材料层和第二材料层，第一材料层的材料具有的介电常数大于与第二材料层的材料具有的介电常数，第二方向为由衬底指向源区结构的方向。以解决相关技术中MOS器件中源漏之间反向漏电流损坏器件和源漏之间耦合面积较大导致功耗较大的问题。

本发明授权MOS器件和MOS器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种MOS器件，其特征在于，包括多个元胞，所述元胞包括衬底以及位于所述衬底一侧的漂移层，所述漂移层具有背离所述衬底的第一表面，所述元胞还包括： 多个源区结构，多个所述源区结构沿第一方向间隔设置，相邻的两个所述源区结构在所述第一方向上具有相互靠近的第一侧面和两个相互背离的第二侧面，其中，相邻的两个所述第二侧面之间的区域为漂移区域，所述漂移区域为所述漂移层中的部分区域，所述第一方向平行于所述第一表面； 多个栅极结构，所述栅极结构位于所述漂移区域背离所述衬底的一侧，且所述栅极结构与位于所述漂移区域两侧的所述源区结构分别接触； 至少一个源极沟槽结构，所述源极沟槽结构位于相邻的两个所述第一侧面之间并与所述源区结构接触设置，所述源极沟槽结构包括第一栅极、第二栅极、第一介质层和第二介质层，所述第一栅极与所述第二栅极沿所述第一方向间隔设置，所述第一介质层位于所述第一栅极和所述第二栅极之间，所述第一栅极、所述第二栅极和所述第一介质层构成第一结构，所述第二介质层分别位于所述第一结构的侧面和底面并与所述源区结构和所述漂移层接触，其中，所述第一介质层至少包括由第二方向依次叠层设置第一材料层和第二材料层，所述第一材料层的材料具有的介电常数大于所述第二材料层的材料具有的所述介电常数，所述第二方向为由所述衬底指向所述源区结构的方向。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司，其通讯地址为：519085 广东省珠海市高新区唐家湾镇金唐路1号港湾1号科创园24栋C区1层428室(集中办公区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。