浙江工业大学;嘉兴大学李雷获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江工业大学;嘉兴大学申请的专利一种硫缺陷异质结二硫化钼及其光照诱导制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119710783B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411908155.5，技术领域涉及：C25B11/075；该发明授权一种硫缺陷异质结二硫化钼及其光照诱导制备方法和应用是由李雷;童亚欣;张群峰;王鹏坤;江增鑫;顾林峰;李孟佳;宋利设计研发完成，并于2024-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硫缺陷异质结二硫化钼及其光照诱导制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及催化剂技术领域，具体涉及一种硫缺陷异质结二硫化钼及其光照诱导制备方法和应用。本发明提供了一种光照诱导制备硫缺陷异质结二硫化钼的方法，包括：钼源、硫源、去离子水搅拌均匀后，转入内置有碳布的高压反应釜中，水热反应制得均匀生长有MoS2前驱体的碳布；氢气和惰性气体的混合气氛下，对均匀生长有MoS2前驱体的碳布进行氙灯光照处理，得到含硫缺陷的异质结二硫化钼。本发明提出了用氙灯光照替换高温煅烧的方式来制备带S空位的二硫化钼，同时本方法制得的二硫化钼是两种晶型共混的异质结形式，可为后续晶相异质结的研究以及相关硫化物造缺陷的方法提供新的思路。
本发明授权一种硫缺陷异质结二硫化钼及其光照诱导制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种光照诱导制备硫缺陷异质结二硫化钼的方法，其特征在于，包括： S1.钼源、硫源、去离子水搅拌均匀后，转入内置有碳布的高压反应釜中，水热反应制得均匀生长有MoS2前驱体的碳布； S2.氢气和惰性气体的混合气氛下，对S1制得的均匀生长有MoS2前驱体的碳布进行氙灯光照处理，得到含硫缺陷的异质结二硫化钼；氙灯光照的电流为18~20A，氙灯光照的时间为10~20min，氙灯光照的强度为3~13sun，1sun≈100mWcm2。
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