中微半导体设备(上海)股份有限公司叶如彬获国家专利权
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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利一种等离子体蚀刻装置及其工作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119725061B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311267667.3，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权一种等离子体蚀刻装置及其工作方法是由叶如彬;吴昊设计研发完成，并于2023-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种等离子体蚀刻装置及其工作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种等离子体刻蚀装置，包括：反应腔，其内设有基座；限制环，其围绕基座的外围设置，限制环具有多个气体通道；中接地环、下接地环，设置在基座的外围，分别沿基座的径向、轴向延伸；中接地环连接下接地环和反应腔的侧壁，下接地环的底部连接反应腔的底壁；反应腔内具有由下接地环的外部、中接地环的下方和反应腔围成的射频屏蔽区；至少一个线圈，围绕下接地环设置在射频屏蔽区；线圈在限制环所在位置处产生的水平方向的磁场分量，用于限制从等离子体反应区域排出的带电粒子由气体通道流入排气区域。本发明还提供一种等离子体刻蚀装置的工作方法。本发明能够提升抽气效率，并保证足够的电子、离子碰壁率，降低等离子体泄露的风险。
本发明授权一种等离子体蚀刻装置及其工作方法在权利要求书中公布了：1.一种等离子体刻蚀装置，其特征在于，包括： 反应腔，其内设有基座； 限制环，其围绕基座的外围设置，所述限制环具有多个气体通道； 中接地环、下接地环，均设置在所述基座的外围，所述中接地环沿所述基座的径向设置，所述中接地环的两端分别连接所述下接地环和所述反应腔的侧壁，所述下接地环沿所述基座的轴向设置，所述下接地环的顶部与中接地环连接，所述下接地环的底部连接所述反应腔的底壁；所述反应腔内具有射频屏蔽区，所述射频屏蔽区是由所述下接地环的外部、所述中接地环的下方和反应腔的侧壁围成； 至少一个线圈，围绕所述下接地环设置，且位于所述射频屏蔽区内；所述线圈在所述限制环产生水平方向的磁场分量，用于增大带电粒子与所述气体通道的侧壁的碰撞。
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