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龙图腾网获悉普冉半导体(上海)股份有限公司申请的专利存储器电路以及非易失性存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119763630B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411832061.4，技术领域涉及：G11C16/06；该发明授权存储器电路以及非易失性存储器是由谢飞;罗光燕设计研发完成，并于2024-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器电路以及非易失性存储器在说明书摘要公布了：本申请提供了一种存储器电路以及非易失性存储器，其中，该存储器电路包括：指令生成模块、电流控制模块、保持模块以及存储单元；指令生成模块中包括N个指令生成单元；电流控制模块中包括Q个控制输入端以及一个偏置电流输入端，电流控制模块的偏置电流输入端用于接入预设的偏置电流，电流控制模块的输出端与保持模块的第一端连接，存储单元与保持模块的第二端连接。本申请能够调整存储单元的数据读取时的参考电流，降低了数据读取过程中误读的风险，保证了得到的存储单元的读取结果的准确性，同时，还能降低了存储单元在读取时的电流消耗，提高了能源利用效率和数据访问速度。

本发明授权存储器电路以及非易失性存储器在权利要求书中公布了：1.一种存储器电路，其特征在于，包括：指令生成模块、电流控制模块、保持模块以及存储单元； 所述指令生成模块中包括N个指令生成单元，各所述指令生成单元分别对应于行地址中的一位，所述N个指令生成单元中的第M个指令生成单元的第一输入端用于接入延时指令，第M个指令生成单元的第二输入端用于接入电流指令，第M个指令生成单元的第三输入端用于接入行地址中对应位的值，第M个指令生成单元的第四输入端用于接入所述存储单元的读取信号，第M个指令生成单元的输出端与所述电流控制模块的Q个控制输入端连接，N、Q均为大于1的整数，M为1至N之间的任一数值，所述电流指令为Q位的指令序列； 所述电流控制模块中包括Q个控制输入端以及一个偏置电流输入端，所述电流控制模块的偏置电流输入端用于接入预设的偏置电流，所述电流控制模块的输出端与所述保持模块的第一端连接，所述存储单元与所述保持模块的第二端连接； 所述指令生成模块中的至少一个指令生成单元用于生成控制信号，并将所述控制信号输出至所述电流控制模块，所述电流控制模块用于在所述控制信号的作用下，控制输出至所述保持模块的参考电流的持续时长以及电流大小，并通过所述保持模块输出所述存储单元的读取结果。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人普冉半导体(上海)股份有限公司，其通讯地址为：201000 上海市浦东新区申江路5005弄1号9层整层(实际楼层8楼)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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