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龙图腾网获悉清华大学申请的专利一种低噪声的对运算跨导放大器OTA进行供电的电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119766173B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411813717.8，技术领域涉及：H03F3/45；该发明授权一种低噪声的对运算跨导放大器OTA进行供电的电路是由罗艳荃;孙楠设计研发完成，并于2024-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低噪声的对运算跨导放大器OTA进行供电的电路在说明书摘要公布了：本申请涉及一种低噪声的对运算跨导放大器OTA进行供电的电路，该电路包括：第一开关电容电路和第二开关电容电路；第一开关电容电路和第二开关电容电路分别包括至少四个开关和至少一个电容；其中，所述电容与OTA之间的连接导通时，所述电容用于为OTA供电；所述电容与OTA之间的连接断开时，所述电容处于充电状态；各所述开关响应于时钟信号闭合或断开以控制对应的所述电容与OTA之间连接的通断；本申请的电路可以避免因使用传统MOSFET电流源对OTA进行供电而引入的噪声问题，实现低噪声的供电电路，并可以节省功耗。

本发明授权一种低噪声的对运算跨导放大器OTA进行供电的电路在权利要求书中公布了：1.一种低噪声的对运算跨导放大器OTA进行供电的电路，其特征在于，包括：第一开关电容电路和第二开关电容电路；所述第一开关电容电路和所述第二开关电容电路分别包括至少四个开关和至少一个电容；其中，所述电容与所述OTA之间的连接导通时，所述电容用于为所述OTA供电；所述电容与所述OTA之间的连接断开时，所述电容处于充电状态；各所述开关响应于时钟信号闭合或断开以控制对应的所述电容与所述OTA之间连接的通断； 其中，所述第一开关电容电路包括第一电容、第一开关、第二开关、第三开关和第四开关；所述第二开关电容电路包括第二电容、第五开关、第六开关、第七开关和第八开关； 所述第一开关的第一端、所述第三开关的第一端、所述第五开关的第一端、所述第七开关的第一端分别与所述OTA连接；所述第一开关的第二端、所述第二开关的第一端与所述第一电容的第一端连接；所述第三开关的第二端、所述第四开关的第一端与所述第一电容的第二端连接；所述第五开关的第二端、所述第六开关的第一端与所述第二电容的第一端连接；所述第七开关的第二端、所述第八开关的第一端与所述第二电容的第二端连接；所述第二开关的第二端和所述第六开关的第二端接第一电压；所述第四开关的第二端和所述第八开关的第二端接第二电压； 所述第一开关、所述第三开关、所述第五开关和所述第七开关响应于第一时钟信号中的第一电平闭合，响应于第一时钟信号中的第二电平断开；所述第二开关、所述第四开关、所述第六开关和所述第八开关响应于第二时钟信号中的所述第一电平闭合，响应于第二时钟信号中的所述第二电平断开； 其中，所述第一时钟信号和所述第二时钟信号的时钟周期相同，电平相反；所述第一开关、所述第三开关、所述第五开关和所述第七开关响应于所述第一时钟信号闭合时，所述第二开关、所述第四开关、所述第六开关和所述第八开关响应于所述第二时钟信号断开，所述第一电容和所述第二电容用于为所述OTA供电；所述第二开关、所述第四开关、所述第六开关和所述第八开关响应于所述第二时钟信号闭合时，所述第一开关、所述第三开关、所述第五开关和所述第七开关响应于所述第一时钟信号断开，所述第一电容和所述第二电容处于充电状态； 其中，所述OTA包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一电阻和第二电阻； 所述第一PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极连接，构成所述OTA的第一输入端；所述第三PMOS管的栅极和所述第四NMOS管的栅极连接，构成所述OTA的第二输入端；所述第一PMOS管的源极、所述第一电阻的第一端与所述第一开关的第一端连接；所述第一PMOS管的漏极与所述第二PMOS管的源极连接；所述第二PMOS管的漏极与所述第一NMOS管的漏极连接，构成所述OTA的第一输出端；所述第一NMOS管的源极与所述第二NMOS管的漏极连接；所述第二NMOS管的源极、所述第二电阻的第一端与所述第三开关的第一端连接；所述第三PMOS管的源极、所述第一电阻的第二端与所述第五开关的第一端连接；所述第三PMOS管的漏极与所述第四PMOS管的源极连接；所述第四PMOS管的漏极与所述第三NMOS管的漏极连接，构成所述OTA的第二输出端；所述第三NMOS管的源极与所述第四NMOS管的漏极连接；所述第四NMOS管的源极、所述第二电阻的第二端与所述第七开关的第一端连接；所述第二PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极接第一栅极电压；所述第一NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极接第二栅极电压。

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