长江存储科技有限责任公司向莉获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利存储器装置及其操作方法、存储器系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119785854B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311295167.0，技术领域涉及：G11C16/34；该发明授权存储器装置及其操作方法、存储器系统是由向莉设计研发完成，并于2023-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器装置及其操作方法、存储器系统在说明书摘要公布了：本公开提供了一种存储器装置及其操作方法、存储器系统，存储器装置包括存储阵列和外围电路；存储阵列包括第一指存储区和第二指存储区；第一指存储区和第二指存储区包括多个存储单元串；每个存储单元串均包括第一底部选择晶体管；第一指存储区中的第一底部选择晶体管具有第一阈值电压，第二指存储区中的第一底部选择晶体管具有第二阈值电压；第一阈值电压小于第二阈值电压；外围电路被配置为：在对第一指存储区进行编程验证的第一预充电阶段，对第一底部选择晶体管施加第一偏置电压；在第一预充电阶段之后的第一感测阶段，对第一底部选择晶体管施加第二偏置电压；第一偏置电压小于第二偏置电压；第二偏置电压小于第二阈值电压并大于第一阈值电压。
本发明授权存储器装置及其操作方法、存储器系统在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，其特征在于，所述存储器装置包括存储阵列以及与所述存储阵列耦接的外围电路；其中， 所述存储阵列包括第一指存储区和第二指存储区；所述第一指存储区和所述第二指存储区均包括多个存储单元串；每个所述存储单元串均包括第一底部选择晶体管；所述第一指存储区中的所述第一底部选择晶体管具有第一阈值电压，所述第二指存储区中的所述第一底部选择晶体管具有第二阈值电压；所述第一阈值电压小于所述第二阈值电压；所述外围电路被配置为： 在对所述第一指存储区中的存储单元进行编程验证操作的第一预充电阶段，对所述第一底部选择晶体管施加第一偏置电压； 在所述第一预充电阶段之后的第一感测阶段，对所述第一底部选择晶体管施加第二偏置电压；所述第一偏置电压小于所述第二偏置电压；所述第二偏置电压小于所述第二阈值电压并大于所述第一阈值电压。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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