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华南理工大学李少桥获国家专利权

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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种多层负极、二次电池和用电设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119786517B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411974776.3,技术领域涉及:H01M4/13;该发明授权一种多层负极、二次电池和用电设备是由李少桥设计研发完成,并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

一种多层负极、二次电池和用电设备在说明书摘要公布了:本申请提供一种多层负极、二次电池和用电设备。本申请通过本申请通过多层涂覆,使相邻的涂层之间满足0.2≤fm=KmKm‑1‑Km‑1Km‑2Sm‑1≤1.2,K=C×HB,S=Dv90‑Dv10Dv50,C表示某一涂层中导电剂的含量;B表示某一涂层中硅材料的含量;H某一层涂层的厚度;S表示某一涂层中硅材料粒径参数。满足上述关系可以使负极极片可以在较大厚度的基础上,仍然能够赋予电池良好的动力学性能。当负极极片的厚度在200μm及以上时,依然赋予电池DCR≤0.42mΩ、3C充电容量保持率≥84.8%、25℃下80%容量保持率循环周数1050周。

本发明授权一种多层负极、二次电池和用电设备在权利要求书中公布了:1.一种多层负极,其特征在于,所述多层负极包括负极集流体和设置在所述负极集流体至少一侧表面的负极活性层,所述负极活性层包括层叠设置的不同的涂层,所述负极活性层中,涂层从靠近集流体的一侧始依次记为第1层、第2层…至第m层,所述涂层的层数m≥3,任一所述的涂层中独立地包含有:碳材料、硅材料、导电剂、粘结剂,所述多层负极满足如下关系式: 0.2≤fm=|KmKm-1-Km-1Km-2|Sm-1≤1.2 K=C×HB S=Dv90-Dv10Dv50 Km≠Km-1≠Km-2 式中,C表示基于任一所述涂层的总重量,所述导电剂的质量百分含量; B表示基于任一所述涂层的总重量,所述硅材料的质量百分含量; Hμm表示任一所述涂层的厚度; Dv10μm表示所述硅材料的体积累计达到10%时对应的粒径; Dv50μm表示所述硅材料的体积累计达到50%时对应的粒径; Dv90μm表示所述硅材料的体积累计达到90%时对应的粒径; 下标m表示第m层的涂层;下标m-1表示第m-1层的涂层;下标m-2表示第m-2层的涂层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人华南理工大学,其通讯地址为:510635 广东省广州市天河区五山路;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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