四川大学赵德威获国家专利权
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龙图腾网获悉四川大学申请的专利一种埋底界面修饰的宽带隙钙钛矿太阳电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119789671B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411949061.2，技术领域涉及：H10K30/88；该发明授权一种埋底界面修饰的宽带隙钙钛矿太阳电池及其制备方法是由赵德威;焦文博;陈聪设计研发完成，并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种埋底界面修饰的宽带隙钙钛矿太阳电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种埋底界面修饰的宽带隙钙钛矿太阳电池及其制备方法，属于太阳电池技术领域。埋底界面修饰的宽带隙钙钛矿太阳电池包括由下到上依次层叠设置的导电衬底、空穴传输层、埋底界面修饰层、宽带隙钙钛矿吸收层、后界面修饰层、电子传输层、缓冲层及金属电极层；埋底界面修饰层的材质为酰胺肟类化合物。本发明还包括埋底界面修饰的宽带隙钙钛矿太阳电池的制备方法。本发明制备的埋底界面修饰的宽带隙钙钛矿太阳电池空穴传输层宽带隙钙钛矿吸收层界面缺陷少，在非辐射损耗和电荷转移损耗方面表现良好，且具有较高的光电转化效率，应用前景广泛。
本发明授权一种埋底界面修饰的宽带隙钙钛矿太阳电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种埋底界面修饰的宽带隙钙钛矿太阳电池，其特征在于，所述埋底界面修饰的宽带隙钙钛矿太阳电池包括由下到上依次层叠设置的导电衬底、空穴传输层、埋底界面修饰层、宽带隙钙钛矿吸收层、后界面修饰层、电子传输层、缓冲层及金属电极层； 所述埋底界面修饰层的材质为酰胺肟类化合物。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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