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龙图腾网获悉四川大学申请的专利一种基于水解性陶瓷实现无源硅基器件自毁的封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119833477B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411996173.3，技术领域涉及：H01L23/00；该发明授权一种基于水解性陶瓷实现无源硅基器件自毁的封装结构是由任丁;陈松设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于水解性陶瓷实现无源硅基器件自毁的封装结构在说明书摘要公布了：本发明属于半导体技术领域，公开了一种基于水解性陶瓷实现无源硅基器件自毁的封装结构，包括壳体、基座和自毁组件；壳体的底部与基座固定连接，且两者之间形成用于封装硅基器件的第一腔室，壳体的顶部开设有用于容置自毁组件的安装槽，安装槽位于第一腔室的上方，且安装与第一腔室相连通；自毁组件包括低水解陶瓷盖板、高水解陶瓷盖板A和用于销毁硅基器件的腐蚀剂；低水解陶瓷盖板与安装槽顶部固定连接；高水解陶瓷盖板A与安装槽内侧或低水解陶瓷盖板底部固定连接；低水解陶瓷盖板与高水解陶瓷盖板A之间形成容纳腐蚀剂的腔室；低水解陶瓷盖板的厚度水解速率小于高水解陶瓷盖板A的厚度水解速率。本发明不需要电源供给即可销毁封装在内的硅基器件，具有广泛的适用性。

本发明授权一种基于水解性陶瓷实现无源硅基器件自毁的封装结构在权利要求书中公布了：1.一种基于水解性陶瓷实现无源硅基器件自毁的封装结构，其特征在于：包括壳体、基座和自毁组件； 所述壳体的底部与基座固定连接，且两者之间形成用于封装硅基器件的第一腔室，所述壳体的顶部开设有用于容置自毁组件的安装槽，所述安装槽位于第一腔室的上方，且安装槽与第一腔室相连通； 所述自毁组件包括低水解陶瓷盖板、高水解陶瓷盖板A和用于销毁硅基器件的腐蚀剂；所述低水解陶瓷盖板与安装槽顶部固定连接；所述高水解陶瓷盖板A与安装槽内侧或低水解陶瓷盖板底部固定连接；所述低水解陶瓷盖板与高水解陶瓷盖板A之间形成容纳腐蚀剂的第二腔室；所述低水解陶瓷盖板的厚度水解速率小于高水解陶瓷盖板A的厚度水解速率； 所述自毁组件还包括发热剂；所述发热剂与腐蚀剂按照层叠方式或水平方式放置，具体设置如下： 当发热剂与腐蚀剂按照层叠方式放置时，所述自毁组件还包括高水解陶瓷盖板B；高水解陶瓷盖板B与高水解陶瓷盖板A组分相同；所述高水解陶瓷盖板B设置于高水解陶瓷盖板A的下方，且与安装槽内侧固定连接；低水解陶瓷盖板和高水解陶瓷盖板A形成容纳发热剂的第三腔室；高水解陶瓷盖板A与高水解陶瓷盖板B之间形成容纳腐蚀剂的第二腔室； 当发热剂与腐蚀剂按照水平方式放置时，所述高水解陶瓷盖板A形成有向上凸起的隔板；所述隔板将低水解陶瓷盖板和高水解陶瓷盖板A形成的腔室分为两个独立的、分别容纳发热剂的第三腔室和容纳腐蚀剂的第二腔室。

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