北京超弦存储器研究院宋艳鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利半导体器件结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119835934B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311319207.0，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件结构及其制备方法是由宋艳鹏;王祥升;王海玲;刘晓萌;王桂磊;赵超设计研发完成，并于2023-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体器件结构及其制备方法。半导体器件结构包括衬底以及位于衬底上交替堆叠的层间介质层和导电层的堆叠结构，至少一个贯穿堆叠结构的通孔，且通孔内设置有第一字线、第一沟道层、第二字线、第二沟道层以及导电连接层；其中，第一字线与第二字线均沿垂直于衬底的第二方向延伸且沿平行于衬底的第一方向间隔设置；第一沟道层环绕第一字线的侧壁且在相邻导电层之间断开；第二沟道层环绕第二字线的侧壁且在相邻导电层之间断开；导电连接层位于相邻导电层之间且沿第一方向与第一字线及第二字线均一体连接。采用本发明的半导体器件结构能够增大驱动电流。
本发明授权半导体器件结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件结构，其特征在于，包括：衬底以及位于所述衬底上交替堆叠的层间介质层和导电层的堆叠结构，至少一个贯穿所述堆叠结构的通孔，且所述通孔内设置有第一字线、第一沟道层、第二字线、第二沟道层以及导电连接层；其中， 所述第一字线与所述第二字线均沿垂直于所述衬底的第二方向延伸且沿平行于所述衬底的第一方向间隔设置； 所述第一沟道层环绕所述第一字线的侧壁且在相邻所述导电层之间断开； 所述第二沟道层环绕所述第二字线的侧壁且在相邻所述导电层之间断开； 所述导电连接层位于相邻所述导电层之间且沿所述第一方向与所述第一字线及所述第二字线均一体连接。
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