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龙图腾网获悉北京大学申请的专利一种AlGaN基深紫外发光二极管注入结构及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119836066B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311312427.0，技术领域涉及：H10H20/825；该发明授权一种AlGaN基深紫外发光二极管注入结构及应用是由许福军;郎婧;沈波;王嘉铭;康香宁;唐宁;秦志新设计研发完成，并于2023-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种AlGaN基深紫外发光二极管注入结构及应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种AlGaN基深紫外发光二极管注入结构及应用。本发明提供的注入结构为周期性结构，每个周期结构包括如下组成：Al组分占比渐变的p‑AlmGa1‑mN层；每个周期结构中，Al组分占比m沿生长方向由x至y线性渐变，x取值范围为0.6‑0.85；y取值范围为0.3‑0.7；且xy。本发明提供的注入结构，可利用压电极化效应诱导产生的负极化体电荷调制p型区能带，降低空穴注入势垒，并抑制电子泄露。该方法将深紫外发光器件的p型区整合成统一的周期性结构，规避了电子阻挡层p‑EBL的使用，提高器件载流子注入效率的同时有效降低器件工作电压，对提升AlGaN基DUV‑LED电光转换效率并推动其产业应用具有重要意义。

本发明授权一种AlGaN基深紫外发光二极管注入结构及应用在权利要求书中公布了：1.一种AlGaN基深紫外发光二极管的注入结构的制备方法，其特征在于，所述注入结构为周期性结构，每个周期结构包括如下组成：Al组分占比渐变的p-AlmGa1-mN层； 每个周期结构中，Al组分占比m沿生长方向由x至y线性渐变，x取值范围为0.6-0.85；y取值范围为0.3-0.7；且xy； 所述每个周期结构的厚度为a，a取值范围为3-10nm； 所述注入结构的厚度为n·a；n表示周期数，n取值范围为2-20； 所述注入结构的制备方法包括如下步骤： S1：采用金属有机物化学气相沉积的方法，将Ga源、Al源的流量分别调整到初始值； S2：打开有机源气路进行外延生长，通过控制Ga源、Al源的流量的渐变梯度，在AlGaN基量子阱样品上生长得到Al组分占比线性渐变的p-AlGa1-mN膜层，即完成整合结构的第一个周期； S3：关闭有机源气路，将Ga源、Al源的流量调整到步骤S1中的初始值； S4：重复步骤S2-S3，得到周期性结构的Al组分线性渐变的p-AlGa1-mN整合结构； 其中： 步骤S1中，通过对所述Ga源、Al源的流量控制比例，以满足所述每个周期结构中x及y的要求； 步骤S2中，通过对所述Al源的流量的渐变比例的控制，以满足所述每个周期结构中Al组分占比的线性关系的要求； 步骤S2中，通过对所述生长时间的控制，以满足所述每个周期结构的厚度a的要求； 步骤S4中，通过对所述重复次数的控制，以满足所述每个周期结构的周期数n的要求。

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