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龙图腾网获悉北京兆讯恒达技术有限公司申请的专利一种具有过压保护的模拟开关电路及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119865153B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411766633.3，技术领域涉及：H03K17/081；该发明授权一种具有过压保护的模拟开关电路及芯片是由王东旺;杨磊;李立设计研发完成，并于2024-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有过压保护的模拟开关电路及芯片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有过压保护的模拟开关电路及芯片。该模拟开关电路包括开关单元、衬底选择单元和过压检测单元；其中，衬底选择单元的输出端与开关单元和过压检测单元连接，过压检测单元的输出端与开关单元的控制端连接。过压检测单元用于根据第一控制信号、输入模拟信号和电源电压产生并输出第二控制信号和第三控制信号，控制开关单元的通断状态，当模拟开关电路在断开或者接通状态下输入端出现过电压时，模拟开关电路能够保持或者转为断开状态，避免由于输入过电压引起的模拟开关无法关断、器件损坏以及性能变差等问题。

本发明授权一种具有过压保护的模拟开关电路及芯片在权利要求书中公布了：1.一种具有过压保护的模拟开关电路，其特征在于包括开关单元、衬底选择单元和过压检测单元；其中， 所述衬底选择单元的输出端与所述开关单元和所述过压检测单元连接，所述过压检测单元的输出端与所述开关单元的控制端连接；所述衬底选择单元用于为所述开关单元和所述过压检测单元中的PMOS管提供体端偏置电压； 所述开关单元包括第五PMOS管、第六PMOS管、第六NMOS管和第七NMOS管；其中，所述第五PMOS管的漏端与所述第六PMOS管的源端连接，所述第六NMOS管的漏端与所述第七NMOS管的源端连接；所述第五PMOS管的源端与所述第六NMOS管的源端相互并接后作为所述开关单元的输入端；所述第六PMOS管的漏端与所述第七NMOS管的漏端相互并接后作为所述开关单元的输出端；所述第五PMOS管的栅端与所述过压检测单元的第二输出端连接，所述第六PMOS管的栅端与所述过压检测单元的第一输出端连接；所述第六NMOS管的栅端与电源电压端连接，第七NMOS管的栅端与第一控制信号端连接； 所述过压检测单元包括第二控制信号子单元和第三控制信号子单元；其中， 所述第二控制信号子单元包括第三PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一反相器和第一或门；所述第三PMOS管的源端与输入模拟信号的输入端连接，栅端与电源电压端连接，漏端与所述第一NMOS管的漏端连接；所述第一NMOS管的栅端与电源电压端连接，源端与所述第二NMOS管的漏端及所述第一或门的第一输入端连接；所述第二NMOS管的栅端与偏置电压端连接，源端与所述第三NMOS管的漏端连接；所述第三NMOS管的栅端与第一控制信号端连接，源端与地电位端连接；所述第一反相器的输入端与第一控制信号端连接，输出端与所述第一或门的第二输入端连接；所述第一或门的输出端作为所述过压检测单元的第一输出端； 所述第三控制信号子单元包括第四PMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管；所述第四NMOS管的源端与所述第一或门的输出端连接，第四NMOS管的栅端与第一控制信号端连接，漏端与所述第五NMOS管的源端连接；所述第五NMOS管的栅端与电源电压端连接，漏端一方面作为所述过压检测单元的第二输出端与所述开关单元连接，另一方面与所述第四PMOS管的漏端连接；所述第四PMOS管的栅端与电源电压端连接，源端与所述输入模拟信号的输入端连接。

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