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龙图腾网获悉北京大学申请的专利半导体结构的制备方法、半导体结构及器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119866009B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411995821.3，技术领域涉及：H10B10/00；该发明授权半导体结构的制备方法、半导体结构及器件是由吴恒;卢浩然;王逸勐;王润声;黎明;黄如设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的制备方法、半导体结构及器件在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构及器件，该方法包括：在衬底上形成有源结构；基于正面有源结构，依次形成堆叠的第一正面晶体管、第二正面晶体管和正面后道晶体管；第一正面晶体管中的第一正面源漏金属、第二正面晶体管中的第二正面源漏金属和正面后道晶体管中的第三正面源漏金属连接；在正面后道晶体管上进行后道工艺，以形成正面金属互连层；倒片并减薄衬底；基于背面有源结构，依次形成堆叠的第一背面晶体管、第二背面晶体管和背面后道晶体管；第一背面晶体管中的第一背面源漏金属、第二背面晶体管中的第二背面源漏金属和背面后道晶体管中的第三背面源漏金属连接；在背面后道晶体管上进行后道工艺，以形成背面金属互连层。

本发明授权半导体结构的制备方法、半导体结构及器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体结构为静态随机存取存储器SRAM单元，所述方法包括： 在衬底上形成有源结构；所述有源结构包括在第一方向上依次堆叠设置的正面有源结构、牺牲结构、背面有源结构； 基于所述正面有源结构，沿所述第一方向，依次形成堆叠设置的第一正面晶体管、第二正面晶体管和正面后道晶体管；所述第一正面晶体管中的第一正面源漏金属、所述第二正面晶体管中的第二正面源漏金属和所述正面后道晶体管中的第三正面源漏金属连接； 在所述正面后道晶体管上进行后道工艺，以形成正面金属互连层； 倒片并减薄所述衬底，直至暴露所述背面有源结构； 基于所述背面有源结构，沿所述第一方向，依次形成堆叠设置的第一背面晶体管、第二背面晶体管和背面后道晶体管；所述第一背面晶体管中的第一背面源漏金属、所述第二背面晶体管中的第二背面源漏金属和所述背面后道晶体管中的第三背面源漏金属连接； 在所述背面后道晶体管上进行后道工艺，以形成背面金属互连层； 所述方法还包括：去除所述牺牲结构，以形成第一间隙，并在所述第一间隙处填充绝缘材料，以形成中间隔离介质层；所述中间隔离介质层用于隔离所述正面有源结构和所述背面有源结构；在所述中间隔离介质层的两侧埋入对称分布的第一信号线和第二信号线；所述第一信号线和所述第二信号线的延伸方向与所述中间隔离介质层的延伸方向一致； 其中，所述第一信号线分别连接所述第一正面晶体管中的第一正面栅极结构和所述第一背面源漏金属，所述第二信号线分别连接所述第一背面晶体管中的第一背面栅极结构和所述第一正面源漏金属。

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