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龙图腾网获悉深圳云潼微电子科技有限公司;重庆云潼科技有限公司申请的专利一种高可靠性的SiC MOSFET器件及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119866034B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510348884.8，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权一种高可靠性的SiC MOSFET器件及制造方法是由蔡政坤;张伟;田甜;廖光朝设计研发完成，并于2025-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高可靠性的SiC MOSFET器件及制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种高可靠性的SiCMOSFET器件及制造方法，该器件包括：碳化硅晶圆、两个栅极区、两个掺杂区和混合PIN肖特基二极管区MPS区；两个所述栅极区位于所述碳化硅晶圆之上；两个所述掺杂区位于所述碳化硅晶圆上，且分别对应位于两个所述栅极区的远离侧，所述远离侧为所述栅极区远离另一个所述栅极区的一侧；所述MPS区位于所述碳化硅晶圆上，且位于两个所述栅极区之间，用于在避免器件的双极退化效应的同时，提高器件的抗浪涌能力。该器件增强器件的极限过流能力，提高在极端浪涌条件下的可靠性，同时还保护器件的栅氧层，延长栅氧层的使用寿命，提高栅氧层的长期可靠性，降低器件损耗。

本发明授权一种高可靠性的SiC MOSFET器件及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种高可靠性的SiCMOSFET器件，其特征在于，包括：碳化硅晶圆、两个栅极区、两个掺杂区和混合PIN肖特基二极管区MPS区； 两个所述栅极区位于所述碳化硅晶圆之上； 两个所述掺杂区位于所述碳化硅晶圆上，且分别对应位于两个所述栅极区的远离侧，所述远离侧为所述栅极区远离另一个所述栅极区的一侧； 所述MPS区位于所述碳化硅晶圆上，且位于两个所述栅极区之间，用于在避免器件的双极退化效应的同时，提高器件的抗浪涌能力； 所述MPS区包括：第一目标P+区、第二目标P+区和掺杂调整区，其中，第二目标P+区的尺寸大于第一目标P+区；所述第二目标P+区的设计降低了所述MPS区二极管双极导通电压并提供了宽敞的电流路径，提高了器件在极端浪涌条件下的可靠性； 所述第一目标P+区对应位于每个所述栅极区的相邻侧，所述相邻侧为所述栅极区相邻另一个所述栅极区的一侧； 所述第二目标P+区位于所述第一目标P+区之间； 所述掺杂调整区位于所述第一目标P+区和所述第二目标P+区之间； 其中，所述掺杂调整区用于调整所述MPS区的肖特基势垒高度； 所述MPS区用于展宽所述掺杂区与所述碳化硅晶圆的外延层之间的耗尽层，屏蔽所述MPS区的肖特基接触区的肖特基结，降低反向漏电，并且使所述MPS区附近所述栅极区的栅极氧化层的强电场下移至临界击穿场强更高的所述碳化硅晶圆的外延层，提高所述栅极区的栅极氧化层的长期可靠性，降低所述器件损耗； 所述掺杂调整区的导电类型为N型或P型； 在器件的肖特基二极管为主导模式下，通过N型的所述掺杂调整区，降低器件的肖特基势垒高度，进而降低肖特基二极管的开启电压及导通压降；在器件的双极导通为主导模式下，通过P型的所述掺杂调整区，增加肖特基势垒高度的方式减少肖特基电流对所述第一目标P+区和所述第二目标P+区下方电势的影响，从而降低所述MPS区二极管双极导通电压；在器件的双极导通为主导模式下，通过N型的所述掺杂调整区，增高所述MPS区二极管双极导通电压，以进一步改善器件的双极退化效应； 源极金属层；所述源极金属层位于所述碳化硅晶圆之上，且覆盖所述栅极区、所述掺杂区和所述MPS区，其中，所述第一目标P+区和所述第二目标P+区与所述源极金属层形成欧姆接触，所述掺杂调整区与所述源极金属层形成肖特基接触。

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