长江存储科技有限责任公司刘子琛获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体器件、存储器系统以及半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119947078B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311450067.0，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件、存储器系统以及半导体器件的制造方法是由刘子琛;魏丹阳;刘威设计研发完成，并于2023-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件、存储器系统以及半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：本申请实施方式提供了一种半导体器件、存储器系统以及半导体器件的制造方法。该半导体器件包括：多个半导体柱，沿第一方向和第二方向阵列排布，并且每个半导体柱沿第三方向延伸；屏蔽结构，位于相邻的半导体柱之间，并沿第一方向延伸；第一连接结构，位于屏蔽结构沿第三方向的一侧，并与屏蔽结构连接；以及第一接触结构，沿第三方向延伸，并与第一连接结构连接；其中，第一接触结构和屏蔽结构位于第一连接结构的同侧，第一方向、第二方向以及第三方向彼此相交。
本发明授权半导体器件、存储器系统以及半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 多个半导体柱，沿第一方向和第二方向阵列排布，并且每个所述半导体柱沿第三方向延伸； 屏蔽结构，位于相邻的所述半导体柱之间，并沿所述第一方向延伸； 第一连接结构，位于所述屏蔽结构沿所述第三方向的一侧，并与所述屏蔽结构连接；以及 第一接触结构，沿所述第三方向延伸，并与所述第一连接结构连接； 其中，所述第一接触结构和所述屏蔽结构位于所述第一连接结构的同侧，所述第一方向、所述第二方向以及所述第三方向彼此相交。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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