广州华星光电半导体显示技术有限公司赵军获国家专利权
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龙图腾网获悉广州华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利显示面板、显示面板的制作方法及显示装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119947256B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510121244.3,技术领域涉及:H10D86/60;该发明授权显示面板、显示面板的制作方法及显示装置是由赵军;肖军城;闫晓林;赵斌;肖辉;胡道兵设计研发完成,并于2025-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本显示面板、显示面板的制作方法及显示装置在说明书摘要公布了:本申请提供了一种显示面板、显示面板的制作方法及显示装置,该显示面板包括衬底、缓冲层、有源层、栅极绝缘层和栅极层,通过使缓冲层和所述栅极绝缘层中的至少一者具有由两层相同材料叠设而成的叠层结构,叠层结构中靠近有源层的膜层相较于远离有源层的膜层中的氢含量更低,如此可以提高显示区的薄膜晶体管的均一性,通过将有源层设置为由第一子有源层和第二子有源层形成的叠层结构,并使第一子有源层的迁移率大于第二子有源层的迁移率,如此可以在不影响薄膜晶体管的初始阈值电压的情况下,增大薄膜晶体管的亚阈值摆幅,从而可以在提高显示区的薄膜晶体管的均一性的同时,增大非显示区的薄膜晶体管的限度。
本发明授权显示面板、显示面板的制作方法及显示装置在权利要求书中公布了:1.一种显示面板,其特征在于,包括: 衬底; 缓冲层,设置于所述衬底的一侧; 有源层,设置于所述缓冲层远离所述衬底的一侧,所述有源层的材料包括氧化物半导体材料; 栅极绝缘层,设置于所述有源层远离所述缓冲层的一侧; 栅极层,设置于所述栅极绝缘层远离所述有源层的一侧; 第二钝化层,设置于所述栅极层远离所述栅极绝缘层的一侧; 其中,所述缓冲层和所述栅极绝缘层中的至少一者具有由两层相同材料叠设而成的叠层结构,所述叠层结构中靠近所述有源层的膜层中的氢含量小于远离所述有源层的膜层中的氢含量;所述有源层包括第一子有源层和第二子有源层,所述第二子有源层设置于所述第一子有源层靠近所述栅极层的一侧,所述第一子有源层的迁移率大于所述第二子有源层的迁移率;所述第二钝化层包括第一子钝化层和第二子钝化层,所述第二子钝化层设置于所述第一子钝化层远离所述栅极层的表面上,所述第一子钝化层中的氢含量小于所述第二子钝化层中的氢含量。
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