兰州大学张泽民获国家专利权
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龙图腾网获悉兰州大学申请的专利一种基于垂直电场调控的Ga2O3薄膜的氧空位调控方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119997644B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411989936.1，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种基于垂直电场调控的Ga2O3薄膜的氧空位调控方法是由张泽民;胡孝梁;骆莉莉;郝瑞设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于垂直电场调控的Ga2O3薄膜的氧空位调控方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于垂直电场调控的Ga2O3薄膜的氧空位调控方法，属于光电转换半导体材料领域。方法包括：1Ga2O3薄膜及器件制备，2离子液体滴加，3施加垂直电场调控。本发明通过强电场作用实现Ga2O3薄膜的氧空位位置调节，加深了对Ga2O3薄膜光电转换性能的调控能力，为Ga2O3薄膜光电探测器件的构建与应用展示了新的可能。本发明不但为解决目前Ga2O3薄膜响应频率低、静态功耗高的难点提供了新思路与新方向，并且可控性强，调控效率高且可量化，具有较强的推广性。
本发明授权一种基于垂直电场调控的Ga2O3薄膜的氧空位调控方法在权利要求书中公布了：1.一种基于垂直电场调控的Ga2O3薄膜的氧空位调控方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1：在SiO2Si基底的上表面制备Ga2O3薄膜；将SiO2Si基底的底面部分的SiO2层刮去，并将暴露出的部分Si连接在PCB板上，作为底栅电极；将所述PCB板固定在探针工作台上，所述探针工作台为四探针工作台，其中源极探针和漏极探针提供源漏电压VSD，顶栅探针和底栅探针提供栅极电压VG；使用光刻与溅射技术在所述Ga2O3薄膜的上表面溅射出金电极沟道从而制备出金电极； 步骤2：在所述Ga2O3薄膜上滴加有机阳离子盐离子液体，形成一层离子液体膜； 步骤3：将所述探针工作台的顶栅探针插入所述离子液体膜中且不与所述Ga2O3薄膜接触；电压源通过所述底栅电极和所述顶栅探针向Ga2O3薄膜施加电压，离子液体膜产生强垂直电场，使所述Ga2O3薄膜内氧空位迁移完成调控。
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