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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学;北京空间飞行器总体设计部申请的专利一种非等高双线圈电磁作动装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120003733B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510140483.3，技术领域涉及：B64G1/64；该发明授权一种非等高双线圈电磁作动装置是由赵勇;唐涛;王文龙;岳洪浩;罗毅欣;温楠;杨飞;李恩奇;杨小泽;赵泽铭;吴君;潘雪婷设计研发完成，并于2025-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种非等高双线圈电磁作动装置在说明书摘要公布了：本发明提出了一种非等高双线圈电磁作动装置，属于航空航天领域。解决了现有电磁作动器漏磁严重，无法抑制电枢反应且推力密度小的问题。它包括它包括定子和动子，所述定子包括上磁结构、外磁结构、下磁结构和内磁结构，所述外磁结构包括外下径向磁环、外中轴向磁环、外上径向磁环和外磁轭，所述外上径向磁环安装在外磁轭的内侧上部，所述外中轴向磁环安装在外磁轭的内侧中部且位于外上径向磁环下侧，所述外下径向磁环安装在外磁轭的内侧下部且位于外中轴向磁环下侧，所述动子包括动子线圈框架、上线圈和下线圈，所述动子线圈框架设置在气隙内，所述动子线圈框架外侧的上部和下部均开设有环形凹槽。它主要用于航天器在轨服务。

本发明授权一种非等高双线圈电磁作动装置在权利要求书中公布了：1.一种非等高双线圈电磁作动装置，其特征在于：它包括定子和动子，所述定子包括上磁结构2、外磁结构3、下磁结构4和内磁结构，所述外磁结构3包括外下径向磁环22、外中轴向磁环23、外上径向磁环24和外磁轭25，所述外上径向磁环24安装在外磁轭25的内侧上部，所述外中轴向磁环23安装在外磁轭25的内侧中部且位于外上径向磁环24下侧，所述外下径向磁环22安装在外磁轭25的内侧下部且位于外中轴向磁环23下侧，所述内磁结构包括内磁轭12、内上径向磁环13、内中轴向磁环17、内下径向磁环18，所述内上径向磁环13安装在内磁轭12的上部，所述内中轴向磁环17安装在内磁轭12的中部且位于内上径向磁环13的下侧，所述内下径向磁环18安装在内磁轭12的下部且位于内中轴向磁环17的下侧，所述外上径向磁环24与内上径向磁环13高度相同，所述外上径向磁环24和内上径向磁环13组成上层径向磁环，所述外下径向磁环22与内下径向磁环18高度相同，所述外下径向磁环22和内下径向磁环18组成下层径向磁环，所述外中轴向磁环23与内中轴向磁环17高度相同，所述外中轴向磁环23和内中轴向磁环17组成中层轴向磁环，所述上层径向磁环的高度大于下层径向磁环的高度，所述内磁轭12的上下两端分别安装在上磁结构2和下磁结构4的中心处，所述外磁轭25的上下两端分别安装在上磁结构2和下磁结构4的边缘处，所述外磁结构3的径向内侧与内磁结构的径向外侧之间存在气隙，所述动子包括动子线圈框架14、上线圈15和下线圈16，所述动子线圈框架14设置在气隙内，所述动子线圈框架14外侧的上部和下部均开设有环形凹槽，上部和下部的环形凹槽内分别设置上线圈15和下线圈16，所述上线圈15的高度大于下线圈16的高度，所述上线圈15通入的电流与下线圈16通入的电流方向相反，所述上磁结构2包括上磁轭10和上轴向磁环11，所述上轴向磁环11安装在上磁轭10的下侧，所述内磁轭12的上端安装在上磁轭10的中心处，所述外磁轭25的上端安装在上磁轭10的边缘处，所述下磁结构4包括下内轴向磁环19、下磁轭20和下外轴向磁环21，所述下内轴向磁环19安装在下磁轭20上部径向内侧，所述下外轴向磁环21安装在下磁轭20上部径向外侧，所述内磁轭12的下端安装在下磁轭20的中心处，所述外磁轭25的下端安装在下磁轭20的边缘处，所述下层径向磁环的高度为下线圈16高度加上上线圈15与下线圈16之间的间距及预留下线圈16安装高度减去中层轴向磁环的高度，所述上层径向磁环的高度为下层径向磁环高度的8-12倍。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人哈尔滨工业大学;北京空间飞行器总体设计部，其通讯地址为：150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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