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龙图腾网获悉山东汉旗科技有限公司申请的专利一种叠加式多层直插结构的MOS管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120033165B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510146654.3，技术领域涉及：H01L23/48；该发明授权一种叠加式多层直插结构的MOS管是由刘玉菲;陈翔;安丰伟设计研发完成，并于2025-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种叠加式多层直插结构的MOS管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种叠加式多层直插结构的MOS管，涉及MOS管技术领域，包括MOS本体，所述MOS块本体的一侧壁上等间距电性连接有三个引脚，每个引脚的外侧均设置有防护组件；所述引脚包括第一引脚及第二引脚，所述第一引脚的顶部开设有滑动槽，所述第二引脚滑动适配在滑动槽内，且所述第二引脚远离MOS本体的一端从滑动槽一端伸出形成延伸部；所述防护组件包括固定结构和活动结构。本发明在运输过程中，固定结构和活动结构可结合形成一个完全的筒状结构，该筒状结构处于第一引脚，及收纳的第二引脚外部，能够避免引脚与外界物体发生碰撞或挤压，而造成引脚的损坏，而在使用时，固定结构和活动结构可进行分离，分别在第一引脚和第二引脚外部形成防护。

本发明授权一种叠加式多层直插结构的MOS管在权利要求书中公布了：1.一种叠加式多层直插结构的MOS管，包括MOS本体，所述MOS本体的一侧壁上等间距电性连接有三个引脚，每个引脚的外侧均设置有防护组件； 其特征在于，所述引脚包括第一引脚及第二引脚，所述第一引脚的顶部开设有滑动槽，所述第二引脚滑动适配在滑动槽内，且所述第二引脚远离MOS本体的一端从滑动槽一端伸出形成延伸部； 所述防护组件包括固定结构和活动结构，所述固定结构包括固定装配在MOS本体侧壁的定位环及连接在定位环远离MOS本体一侧的第一螺旋条，所述第一螺旋条上形成第一螺旋间隙；所述活动结构包括与定位环同轴的活动环及连接在活动环靠近MOS本体一侧的第二螺旋条，所述第二螺旋条上形成第二螺旋间隙；所述第一螺旋条适配在第二螺旋间隙内，所述第二螺旋条适配在第一螺旋间隙，且所述第一螺旋条与所述第二螺旋条之间通过键槽结构滑动连接，使第二螺旋条能够在第一螺旋间隙内沿其螺旋方向螺旋移动；所述活动环的内侧通过支杆同轴固定有转动环，所述转动环与所述延伸部转动连接；所述第二螺旋条在第一螺旋间隙内螺旋移动的行程内具有初始位置；当第二螺旋条处于初始位置时，所述第一螺旋条完全适配在第二螺旋间隙内，所述第二螺旋条完全适配在第一螺旋间隙； 所述键槽结构包括设置在第一螺旋条厚度方向的螺旋槽，以及固定在第二螺旋条上的螺旋片。

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