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龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利一种GaN HEMT器件等效电路模型的参数提取方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120087313B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510070975.X，技术领域涉及：G06F30/373；该发明授权一种GaN HEMT器件等效电路模型的参数提取方法是由董志华;欧阳御龙设计研发完成，并于2025-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种GaN HEMT器件等效电路模型的参数提取方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种GaNHEMT器件等效电路模型的参数提取方法，至少包括以下步骤：步骤S1：将GaNHEMT器件建模为小信号等效电路模型；步骤S2：基于步骤S1的模型，提取外部寄生参数；步骤S3：提取内部本征参数；步骤S1中，等效电路模型包括外部寄生参数和内部本征参数，其中，外部寄生参数不受施加的偏置电压影响，包括金属电极间寄生电容Cpg、Cpd和Cpg，外部寄生电感Lg、Ld和Ls，以及外部寄生电阻Rg、Rd和Rs；内部本征参数受器件工作时的沟道结构和偏置条件影响，包括沟道电阻Rgs、栅漏电阻Rgd、漏源输出电导Gds；各端口之间电容Cgs、Cgd、Cds；跨导gm、时延参数τ。

本发明授权一种GaN HEMT器件等效电路模型的参数提取方法在权利要求书中公布了：1.一种GaNHEMT器件等效电路模型的参数提取方法，其特征在于，至少包括以下步骤： 步骤S1：将GaNHEMT器件建模为小信号等效电路模型； 步骤S2：基于步骤S1的模型，提取外部寄生参数； 步骤S3：提取内部本征参数； 步骤S1中，等效电路模型包括外部寄生参数和内部本征参数，其中，外部寄生参数不受施加的偏置电压影响，包括金属电极间寄生电容Cpg、Cpd和Cpgd，外部寄生电感Lg、Ld和Ls，以及外部寄生电阻Rg、Rd和Rs；内部本征参数受器件工作时的沟道结构和偏置条件影响，包括沟道电阻Rgs、栅漏电阻Rgd、漏源输出电导Gds；各端口之间电容Cgs、Cgd、Cds；跨导gm、时延参数； 所述步骤S3还包括如下步骤： 在提取完外部寄生参数后，通过在偏压工作点下测量器件的S参数，并利用矩阵网络变换公式去嵌掉外部寄生参数，获得器件的本征Y参数；提取本征参数的表达式如下所示： ； ； 获取器件跨导最大点作为器件选定的工作点，通过上式得到0~40GHz内该偏置下的各本征参数提取值曲线； 计算得到各个本征参数在全频段的平均值；定义模型误差为： ； 其中SSim,ij是仿真S参数数据，SMea,ij是测试S参数数据； 设模型误差的上下限差值为γ，设某频点下某一本征参数的提取值为A，令： ； 其中，为该本征参数全频段内的平均值，为该频点下的提取值与全频段平均值的比值； 将某一本征参数提取值A代入电路模型进行仿真，其他本征参数取全频段平均值，计算不同与其对应的模型精度误差上下限，取最低点的值作为该本征参数的提取值；以此提取所有内部本征参数。

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