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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种z轴敏感的磁电薄膜传感器及其自组装制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120112155B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510243126.X，技术领域涉及：H10N50/01；该发明授权一种z轴敏感的磁电薄膜传感器及其自组装制备方法是由刘明;彭斌;郭筠婷设计研发完成，并于2025-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种z轴敏感的磁电薄膜传感器及其自组装制备方法在说明书摘要公布了：本发明提出一种z轴敏感的磁电薄膜传感器及其自组装制备方法，包括：在衬底上依次外延沉积牺牲层、底电极层、铁电层、图案化的长条形铁磁层、Si3N4绝缘层；刻蚀铁电层至牺牲层，保留铁磁层四周的铁电层，得到图案化的周边带有支点的待自组装平面薄膜；在铁电层一个边缘上涂覆固定层；沉积电极引脚；对牺牲层进行湿法刻蚀，由于Si3N4绝缘层中的残余拉应力，待自组装平面薄膜自发卷曲成多层卷结构；将多层卷结构倾倒，使多层卷结构的敏感轴指向面外方向，进行极化处理后得到z轴敏感的磁电薄膜传感器。该磁电薄膜传感器基于磁电复合材料制备，具有低功耗、灵敏度高的优势，且可以实现z轴敏感磁电传感器的一体化制备。

本发明授权一种z轴敏感的磁电薄膜传感器及其自组装制备方法在权利要求书中公布了：1.一种z轴敏感的磁电薄膜传感器的自组装制备方法，其特征在于，包括： S1，在衬底上外延沉积牺牲层； S2，在牺牲层上外延沉积底电极层； S3，在底电极层上外延沉积铁电层； S4，采用光刻与磁控溅射技术相结合的方法，在铁电层上沉积图案化的长条形铁磁层； S5，采用光刻与磁控溅射技术相结合的方法，在铁磁层除连接电极引脚的部分之外的区域沉积Si3N4绝缘层，其中，磁控溅射的溅射功率为500W~900W； S6，采用光刻与干法刻蚀相结合的方法，刻蚀铁电层至牺牲层，保留铁磁层四周的铁电层，得到图案化的周边带有支点的待自组装平面薄膜； S7，在铁电层与长条形铁磁层垂直的一个边缘上涂覆固定层，将铁电层的该边缘固定在衬底上； S8，采用光刻与磁控溅射相结合的方法，沉积电极引脚，以将底电极层和铁磁层引出； S9，对牺牲层进行湿法刻蚀，由于Si3N4绝缘层中的残余拉应力，待自组装平面薄膜自发卷曲成多层卷结构； S10，将多层卷结构清洗后冷冻干燥，通过微型操纵器和微型操纵针，将多层卷结构倾倒，使多层卷结构的敏感轴指向面外方向，进行极化处理后得到z轴敏感的磁电薄膜传感器。

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