山东大学房常峰获国家专利权
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龙图腾网获悉山东大学申请的专利基于溶剂蒸发法获得大尺寸单晶材料的生长装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120119316B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510360741.9，技术领域涉及：C30B7/04；该发明授权基于溶剂蒸发法获得大尺寸单晶材料的生长装置及方法是由房常峰;吕杰钊;孙鹏;房德霄;王丽丽;邓鲁;赵显设计研发完成，并于2025-03-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于溶剂蒸发法获得大尺寸单晶材料的生长装置及方法在说明书摘要公布了：本发明属于晶体生长技术领域，具体涉及基于溶剂蒸发法获得大尺寸单晶材料的生长装置及方法。蒸发育晶器由溶液蒸发池、晶体生长槽及连通着溶液蒸发池和晶体生长槽的漏斗形结构组成，蒸发育晶器内部设有装生长溶液的腔体，溶液蒸发池上方开口，晶体生长槽底部设有晶种固定槽且内部设有板状型腔；阵列式电加热温控装置包括：加热元件和感温元件，加热元件和感温元件成组竖向阵列布置于蒸发育晶器外侧。与现有技术相比，本发明的有益效果：晶体生长槽内设板状型腔，提供大尺寸具有特定形态的晶体生长空间；并配置阵列式电加热温控装置，装置整体处于静态条件下，稳定性高，生长条件易于进行统一控制，操作方便；采用溶剂蒸发法，原料利用率高。
本发明授权基于溶剂蒸发法获得大尺寸单晶材料的生长装置及方法在权利要求书中公布了：1.基于溶剂蒸发法获得大尺寸单晶材料的生长装置，其特征在于，包括：蒸发育晶器和阵列式电加热温控装置， 所述蒸发育晶器由溶液蒸发池、晶体生长槽及连通着所述溶液蒸发池和所述晶体生长槽的漏斗形结构组成，所述蒸发育晶器内部设有装生长溶液的腔体，所述溶液蒸发池上方开口，所述晶体生长槽底部设有晶种固定槽且内部设有板状型腔； 所述阵列式电加热温控装置包括：加热元件和感温元件，所述加热元件和所述感温元件成组竖向阵列布置于所述蒸发育晶器外侧；所述加热元件阵列间隔不大于3cm；所述加热元件为聚酰亚胺薄膜型加热器，宽度不大于2cm。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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