上海交通大学吴林晟获国家专利权
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龙图腾网获悉上海交通大学申请的专利宽带硅基SU-8介质谐振天线阵列及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120127375B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510279136.9，技术领域涉及：H01Q1/36；该发明授权宽带硅基SU-8介质谐振天线阵列及其制备方法是由吴林晟;田济玮;祝志成;郭芸希;吴毓颖设计研发完成，并于2025-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本宽带硅基SU-8介质谐振天线阵列及其制备方法在说明书摘要公布了：一种宽带硅基SU‑8介质谐振天线阵列及其制备方法，包括：馈电基板、设置于其上的SU‑8层和位于SU‑8层中的介质谐振器，其中：介质谐振器包括介质主体和第一金属层；馈电基板包括：第二金属层、介质层和第三金属层。本发明采用高阻硅作为主体介质谐振器，采用耦合馈电的方式在馈电基板上使用SU‑8光刻胶制作上设有空腔的模板，实现介质谐振天线高精度制造和阵列组成，并快速装配和精准定位；同时，具有更宽的工作频带，并具有工艺步骤简单、低成本和可快速批量制造的优点。
本发明授权宽带硅基SU-8介质谐振天线阵列及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种宽带硅基SU-8介质谐振天线阵列，其特征在于，包括：馈电基板、设置于其上的SU-8层和位于SU-8层中的介质谐振器，其中：介质谐振器包括介质主体和第一金属层；馈电基板包括：第二金属层、介质层和第三金属层； 所述的介质主体位于第二金属层上且介质主体和第二金属层之间为第一金属层； 所述的第一金属层上设有用于调节介质谐振天线阵列的阻抗匹配和激励模式的金属缝隙； 所述的介质层中设有分别连接第二金属层和第三金属层的金属通孔，其中：馈电基板采用微带线的形式完成馈电，第三金属层作为导带，第二金属层与地电位相连； 所述的第二金属层上设有若干个金属缝隙，金属缝隙图案与第一金属层上的金属缝隙完全一致，用于调节介质谐振天线阵列的阻抗匹配和激励模式的金属缝隙； 所述的第二金属层所带缝隙的数量与天线阵列规模一致。
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