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龙图腾网获悉广州增芯科技有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120149160B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510285353.9，技术领域涉及：H01L21/265；该发明授权半导体结构及其制备方法是由陈超设计研发完成，并于2025-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构及其制备方法，制备方法包括：采用第一光罩对所述半导体衬底进行第一次离子注入，形成位于所述半导体衬底内的第一注入区和第二注入区；采用所述第一光罩，在所述半导体衬底上制备牺牲层；形成位于所述牺牲层顶部表面及侧壁表面的氧化物层；步刻蚀去除所述牺牲层上和所述半导体衬底上的部分氧化物层；以所述牺牲层和剩余的所述氧化物层为遮挡层，对所述半导体衬底进行第二次离子注入，形成位于所述半导体衬底内的第三注入区，所述第三注入区和所述第一注入区共同构成半导体结构。本申请降低了成本。

本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 提供半导体衬底； 采用第一光罩对所述半导体衬底进行第一次离子注入，形成位于所述半导体衬底内的第一注入区和第二注入区，所述第一光罩具有开口图形，所述开口图形包括相连接的第一开口和第二开口，所述第一开口的宽度小于所述第二开口的宽度，所述第一注入区与所述第一开口相对应，所述第二注入区与所述第二开口相对应； 采用所述第一光罩，在所述半导体衬底上制备牺牲层，所述牺牲层具有第三开口和第四开口，所述第三开口与所述第一开口相对应，所述第四开口与所述第二开口相对应，所述第三开口和所述第四开口底部暴露所述半导体衬底表面； 形成位于所述牺牲层顶部表面及侧壁表面的氧化物层，所述氧化物层还覆盖所述第三开口和所述第四开口暴露的所述半导体衬底表面，且所述第三开口被所述氧化物层填满，所述第三开口内所述氧化物层的厚度大于所述第四开口内所述氧化物层的厚度； 刻蚀去除所述牺牲层上和所述半导体衬底上的部分氧化物层，形成暴露所述半导体衬底的第五开口，所述第五开口位于所述第四开口内； 以所述牺牲层和剩余的所述氧化物层为遮挡层，对所述半导体衬底进行第二次离子注入，形成位于所述半导体衬底内的第三注入区，所述第三注入区与所述第五开口相对应； 所述采用所述第一光罩，在所述半导体衬底上制备牺牲层，包括： 在所述半导体衬底上沉积牺牲层； 在所述牺牲层上涂抹第二光刻胶层； 采用所述第一光罩对所述第二光刻胶层进行曝光显影，形成位于所述第二光刻胶层内且对应所述第一开口和所述第二开口的第二光刻胶图形； 以所述第二光刻胶层为遮挡层，对所述牺牲层进行刻蚀，使所述牺牲层形成所述第三开口和所述第四开口。

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