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龙图腾网获悉湖州镓奥科技有限公司申请的专利基于垂直互联与梯度热匹配的GaN芯片封装结构及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120221521B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510369354.1，技术领域涉及：H01L23/373；该发明授权基于垂直互联与梯度热匹配的GaN芯片封装结构及方法是由戚永乐;张晓平;陈振设计研发完成，并于2025-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于垂直互联与梯度热匹配的GaN芯片封装结构及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了基于垂直互联与梯度热匹配的GaN芯片封装结构及方法，包括基板，所述基板的内部嵌入式安装有吸波层，所述基板上安装有铜线层，所述铜线层上喷涂有热过度层；所述热过渡层上安装有GaN芯片，所述GaN芯片的栅极区上垂直阵列有碳纳米管，所述碳纳米管上连接有驱动芯片的输出端。高频性能突破：寄生电感降低95％以上，热可靠性提升：CTE失配问题彻底解决，高频噪声抑制：宽频段屏蔽效能提升10倍。

本发明授权基于垂直互联与梯度热匹配的GaN芯片封装结构及方法在权利要求书中公布了：1.基于垂直互联与梯度热匹配的GaN芯片的封装方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、选取基板，对基板表面进行清洁，去除表面氧化层； S2、嵌入吸波层，将Fe3O4纳米颗粒和聚酰亚胺前驱体混合，采用球磨工艺并添加分散剂制备成浆液，随后采用氧等离子体对基板内腔进行预处理，然后将浆液旋涂在内腔中并进行高温固化； S3、光刻铜线层，旋涂光刻胶并使用步进式光刻机和显影液进行曝光和显影，通过硫酸铜电镀液在基板表面形成铜线层，随后用FeCl3溶液蚀刻多余铜层； S4、喷涂热过渡层，将纳米银颗粒和硅橡胶基体混合，添加硅烷偶联剂提升界面结合力，并采用梯度配比的方式喷涂在铜线层表面，银浓度为80％～20％，每层厚度为5μm； S5、生长碳纳米管，首先进行催化剂沉积，在GaN芯片的栅极区溅射铁和铝双层催化剂，氢气退火形成纳米级Fe催化颗粒，并采用CVD技术在栅极区域垂直阵列生长高度为30μm的碳纳米管，并进行等离子体活化和金属化处理； S6、对驱动芯片进行预处理，在驱动芯片的焊盘区域预置微凸点，通过热压键合与碳纳米管顶部的金属化层对准，然后进行芯片贴装，使用纳米银烧结膏将GaN芯片和驱动芯片固定在基板上。

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