北京集成电路装备创新中心有限公司徐南娟获国家专利权
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龙图腾网获悉北京集成电路装备创新中心有限公司申请的专利一种半导体器件的形成方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120264831B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510237550.3，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权一种半导体器件的形成方法及半导体器件是由徐南娟;史小平;孙新;徐文清设计研发完成，并于2025-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件的形成方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件的形成方法及半导体器件，该方法包括：向预设基底沉积具有高介电常数的栅氧化层；在沟槽侧壁形成可分解薄膜侧壁层；沉积金属栅电极材料在沟槽内形成金属栅电极，去除层间介质层上方的栅氧化层；沉积多孔薄膜层，刻蚀沟槽两侧侧壁的栅氧化层以及与栅氧化层接触的层间介质层，并填充金属形成与源漏有源区接触的接触孔电极；进行退火工艺使可分解薄膜侧壁层分解并通过多孔薄膜层挥发，使接触孔与金属栅电极之间的可分解薄膜侧壁层形成空气层。本发明将接触孔与金属栅电极之间的高介电常数的栅氧化层替换为低介电常数的空气层，降低了金属栅电极和源漏接触孔电极之间的寄生电容，从而降低了RC延迟。
本发明授权一种半导体器件的形成方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括： 向预设基底沉积具有高介电常数的栅氧化层；其中，所述预设基底包括衬底、位于所述衬底的有源区上方的界面层和位于未形成所述界面层位置的层间介质层，所述界面层的高度小于所述层间介质层的高度形成沟槽； 在所述沟槽侧壁形成可分解薄膜侧壁层； 沉积金属栅电极材料在所述沟槽内形成金属栅电极，去除所述层间介质层上方的所述栅氧化层； 沉积多孔薄膜层，刻蚀所述沟槽两侧侧壁的所述栅氧化层以及与所述栅氧化层接触的所述层间介质层，并填充金属形成与源漏有源区接触的接触孔电极； 进行退火工艺使所述可分解薄膜侧壁层分解并通过所述多孔薄膜层挥发，使所述接触孔与所述金属栅电极之间的所述可分解薄膜侧壁层形成空气层。
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