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龙图腾网获悉中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))申请的专利芯片制程工艺的检查方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120413450B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510312750.0，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权芯片制程工艺的检查方法及系统是由雷泽宏;杜伟平;黎恩良;陈健权;师谦;李金周;郑林挺设计研发完成，并于2025-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本芯片制程工艺的检查方法及系统在说明书摘要公布了：本申请涉及一种芯片制程工艺的检查方法及系统，包括：获取已进行开封处理的芯片，根据芯片中不同功能区的分布情况设置目标检查区域；对芯片进行芯片去层处理，使目标检查区域内的金属互连层暴露，根据金属互连层的形貌确定芯片的剖切方向，其中，金属互连层位于芯片的衬底上；沿剖切方向对芯片进行剖切，以获取具有剖切截面的待检测样品，所述剖切截面为沿剖切方向对芯片进行剖切后暴露的截面；根据剖切截面分析获取待检测样品的参数信息。本申请在无具体定位信息的条件下实现了对未知集成电路产品芯片的制程工艺检查以及参数信息的测量，降低了聚焦离子束制样时间和成本，提升了聚焦离子束制样的效率和准确性。

本发明授权芯片制程工艺的检查方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种芯片制程工艺的检查方法，其特征在于，包括： 获取已进行开封处理的芯片，根据所述芯片中不同功能区的分布情况设置目标检查区域； 对所述芯片进行芯片去层处理，使所述目标检查区域内的金属互连层暴露，根据所述金属互连层的形貌确定所述芯片的剖切方向，其中，所述金属互连层位于所述芯片的衬底上； 沿所述剖切方向对所述芯片进行剖切，以获取具有剖切截面的待检测样品，所述剖切截面为沿所述剖切方向对所述芯片进行剖切后暴露的截面； 根据所述剖切截面分析获取所述待检测样品的参数信息； 在所述芯片为鳍式场效应晶体管的情况下，所述剖切方向包括第一方向和或第二方向，所述第一方向垂直于所述鳍式场效应晶体管中栅极鳍的延伸方向，所述第二方向平行于所述栅极鳍的延伸方向； 所述待检测样品的参数信息包括：所述栅极鳍的宽度、高度以及相邻两个所述栅极鳍之间的距离； 在所述剖切方向为所述第二方向的情况下，所述参数信息还包括：所述鳍式场效应晶体管的栅极长度、接触栅极的间距以及最小金属互连间距。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))，其通讯地址为：511370 广东省广州市增城区朱村街朱村大道西78号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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