华辰芯光(无锡)半导体有限公司侯继达获国家专利权
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龙图腾网获悉华辰芯光(无锡)半导体有限公司申请的专利一种半导体激光器芯片结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120453855B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510935055.X，技术领域涉及：H01S5/30；该发明授权一种半导体激光器芯片结构及其制造方法是由侯继达;魏明设计研发完成，并于2025-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体激光器芯片结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体激光器制造技术领域。具体涉及一种半导体激光器芯片结构及其制造方法。本申请提供的制造方法制造的半导体激光器芯片结构包括：激光器芯片基体和重掺杂台；重掺杂台的长度和宽度均小于激光器芯片基体的长度和宽度；绝缘层，覆盖重掺杂台靠近边缘的部分宽度、重掺杂台的侧部和重掺杂台侧部的激光器芯片基体表面；离子注入区，位于绝缘层之下的部分厚度的重掺杂台和激光器芯片基体中，与绝缘层共同定义半导体激光器芯片的电流注入窗口的条宽。本申请可解决使用重掺杂台边缘的隔离沟槽定义电流注入窗口造成的缺陷。
本发明授权一种半导体激光器芯片结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体激光器芯片结构，其特征在于，半导体激光器芯片结构包括： 激光器芯片基体，所述激光器芯片基体包括依次层叠设置的：衬底层、缓冲层、下限制层、下波导层、量子阱有源层、上波导层、第一上限制层； 重掺杂台，设置于所述激光器芯片基体上的第一上限制层背向所述衬底层一侧表面，包括第二上限制层和欧姆接触层；所述重掺杂台的长度和宽度均小于所述激光器芯片基体的长度和宽度； 绝缘层，覆盖所述重掺杂台靠近边缘的部分宽度、所述重掺杂台的侧部和所述重掺杂台侧部的所述激光器芯片基体表面； 离子注入区，位于所述绝缘层之下的部分厚度的所述重掺杂台和所述激光器芯片基体中；所述离子注入区的电阻大于所述离子注入区周围的所述重掺杂台和所述激光器芯片基体的未被离子注入的区域的电阻；所述离子注入区与所述绝缘层共同定义所述半导体激光器芯片的电流注入窗口的条宽。
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