金迈克(潍坊)新材料科技有限公司文晓斌获国家专利权
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龙图腾网获悉金迈克(潍坊)新材料科技有限公司申请的专利一种平面靶溅射镀膜机制备银灰色工艺方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120485725B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510968596.2,技术领域涉及:C23C14/35;该发明授权一种平面靶溅射镀膜机制备银灰色工艺方法是由文晓斌;赵红星设计研发完成,并于2025-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种平面靶溅射镀膜机制备银灰色工艺方法在说明书摘要公布了:本发明涉及PVD镀膜技术领域,具体是一种平面靶溅射镀膜机制备银灰色工艺方法,包括如下步骤:将基材放置于真空室,通入氩气,利用离子束对基材表面进行轰击;开启Cr靶,调整Cr靶电流与偏压,在基材表面形成打底层;通入氮气,开启Si靶,在打底层表面形成中间层;调整氮气流量,调整Cr靶、Si靶电流与偏压,在中间层表面形成过渡层;关闭氮气,调整Cr靶、Si靶电流与偏压,在过渡层表面形成银灰色的颜色层。采用本平面靶溅射镀膜机制备银灰色工艺方法,依次在基材表面上镀制打底层、中间层、过渡层和颜色层,通过多层膜结构设计和精确的工艺参数控制,实现了高性能银灰色PVD膜层的制备,提升了PVD膜层的结合力与耐磨性。
本发明授权一种平面靶溅射镀膜机制备银灰色工艺方法在权利要求书中公布了:1.一种平面靶溅射镀膜机制备银灰色工艺方法,其特征在于,包括如下步骤: S1、将基材放置于真空镀膜磁控溅射设备的真空室,抽真空至腔体真空度6.0×10-3Pa,调整氩气流量,使气压达到预定值,开启偏压电源,利用离子束对基材表面进行轰击,完成预处理; S2、调整氩气流量,维持真空室压力0.3~0.5Pa,开启Cr靶,调整Cr靶电流至6~10A,负偏压控制在100~200V,在基材表面形成打底层; S3、通入氮气,在打底层表面梯度沉积的中间层,具体步骤包括: S31、设定Si靶电流为2.5A,Cr靶电流为6A,负偏压控制在50V,在打底层上表面形成富Cr基础层; S32、周期性沉积,Si靶电流调整为6A,Cr靶电流调整为6A,负偏压180V,在基础层上形成CrSiN子层;关闭Cr靶并调整Si靶电流为8A,调整负偏压150V,在CrSiN子层上形成Si3N4子层,完成一个周期的沉积;重复操作,执行40个循环周期的纳米叠层工艺,形成层级结构的交替层; S33、Si靶电流调整为6A,Cr靶电流调整为8A,负偏压控制在100V,在交替层外层形成封顶层; S4、调整氮气流量,负偏压控制在30~100V,Cr靶电流控制在6~10A,Si靶电流调整至6~10A,在中间层表面形成过渡层; S5、关闭氮气,Cr靶电流调整至0.5~1A,Si靶电流调整至8~10A,负偏压控制在30~100V,在封顶层表面形成银灰色的颜色层。
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