杭州积海半导体有限公司覃庆媛获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州积海半导体有限公司申请的专利沟槽型MIM电容器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120547884B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511029028.2，技术领域涉及：H10D1/68；该发明授权沟槽型MIM电容器及其制造方法是由覃庆媛;吴卓杰;王岩;丁文凤设计研发完成，并于2025-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本沟槽型MIM电容器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种沟槽型MIM电容器及其制造方法，属于半导体领域。该沟槽型MIM电容器包括半导体衬底，在所述半导体衬底上的第一介质层内具有多个沟槽；底部电极，沿着所述多个沟槽的底部和侧面设置，并且沿着所述第一介质层的上表面横向延伸；氧供体层，仅覆盖所述沟槽侧面的底部电极；顶部电极，设置于所述高介电常数介质层表面，并将所述沟槽填满，所述高介电常数介质层将所述底部电极和顶部电极隔离开。本发明通过仅在沟槽侧面的底部电极层上设置氧供体层，氧供体层可以为底部电极层提供氧气，降低氧空位的浓度，从而减少漏电流。在水平部分没有氧供体层，确保电容介电常数k值不会降低。
本发明授权沟槽型MIM电容器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽型MIM电容器，其特征在于，包括： 半导体衬底，在所述半导体衬底上的第一介质层内具有多个沟槽； 底部电极，沿着所述多个沟槽的底部和侧面设置，并且沿着所述第一介质层的上表面横向延伸； 氧供体层，仅覆盖所述沟槽侧面的底部电极； 高介电常数介质层，沿着未被所述氧供体层覆盖的所述底部电极的表面，以及所述氧供体层表面设置； 顶部电极，设置于所述高介电常数介质层表面，并将所述沟槽填满，所述高介电常数介质层将所述底部电极和顶部电极隔离开。
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