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龙图腾网获悉横店集团东磁股份有限公司申请的专利一种背接触太阳能电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120547972B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511046801.6，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种背接触太阳能电池及其制备方法是由陈伟康;傅杭琳;宋鑫鑫;陈德爽;任勇设计研发完成，并于2025-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种背接触太阳能电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及太阳能电池技术领域，公开了一种背接触太阳能电池及其制备方法，方法包括：对硅片进行制绒工艺，在硅片的正面和背面分别依次形成P型掺杂层、BSG层、隧穿氧化层、N型掺杂层、PSG层；在硅片的背面形成深入硅片内部的第一凹槽；在第一凹槽底部形成隧穿氧化层、N型掺杂层和PSG层；在第一凹槽底部中形成第二凸起和底部为第二抛光平面的第二凹槽；保留第二凸起表面的隧穿氧化层和N型掺杂层，保留硅片正面和背面剩余部分的P型掺杂层；在N型掺杂层和P型掺杂层表面形成钝化层；在第二凸起表面N型金属接触；在背面剩余部分采用LECO工艺形成P型金属接触。本发明可以提高太阳能电池的钝化性能、光电转换效率和制备工艺效率。

本发明授权一种背接触太阳能电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括： 提供硅片，所述硅片包括相对的正面和背面，对所述硅片进行制绒工艺； 在所述硅片的正面和背面分别依次形成P型掺杂层、BSG层、隧穿氧化层、N型掺杂层和PSG层；所述P型掺杂层为绒面；所述P型掺杂层的材料包括单晶硅和硼，所述N型掺杂层的材料包括多晶硅和磷； 在所述硅片的背面进行第一激光开窗工艺和抛光工艺，在硅片的背面形成第一凹槽；第一凹槽深入硅片内部，第一凹槽底部具有第一抛光平面；去除硅片正面和硅片背面剩余部分的表面的PSG层、N型掺杂层、隧穿氧化层； 在第一凹槽底部、硅片正面和硅片背面剩余部分的表面形成隧穿氧化层、N型掺杂层和PSG层； 在所述硅片的背面进行第二激光开窗工艺，在所述第一凹槽底部中形成第二凸起及其侧部的第二凹槽，所述第二凹槽深入硅片内部，所述第二凹槽底部具有第二抛光平面；去除第二凸起表面的PSG层，并去除硅片正面和硅片背面剩余部分的表面的隧穿氧化层、N型掺杂层和PSG层； 形成钝化层，所述钝化层位于N型掺杂层背向第二凸起的一侧表面、第二凹槽内部、P型掺杂层背向硅片正面和硅片背面剩余部分的一侧表面； 在第二凸起表面采用丝网印刷工艺形成N型金属接触；在硅片背面剩余部分的表面采用LECO工艺形成P型金属接触，所述N型金属接触贯穿所述钝化层与所述N型掺杂层连接；所述P型金属接触贯穿所述钝化层与所述P型掺杂层连接；第二凸起为N型掺杂区，硅片背面剩余部分为P型掺杂区，第二凹槽为P型掺杂区和N型掺杂区之间的隔离区； 所述在硅片正面和背面分别依次形成P型掺杂层、BSG层、隧穿氧化层、N型掺杂层和PSG层的步骤包括： 对所述硅片进行硼掺杂扩散工艺，在所述硅片的正面和背面分别依次形成P型掺杂层和BSG层； 在所述BSG层背向所述P型掺杂层的一侧表面依次形成隧穿氧化层和本征非晶硅层；对所述本征非晶硅层进行磷掺杂扩散工艺，使所述本征非晶硅层形成N型掺杂层和PSG层。

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