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龙图腾网获悉宁德森宝新材料科技有限公司申请的专利一种基于聚偏氟乙烯基纳米复合介电材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120590728B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510972902.X，技术领域涉及：C08L27/16；该发明授权一种基于聚偏氟乙烯基纳米复合介电材料及其制备方法是由井光辉;林辉阳;陈龙灿;王鸿毅;张永刚设计研发完成，并于2025-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于聚偏氟乙烯基纳米复合介电材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种基于聚偏氟乙烯基纳米复合介电材料及其制备方法，涉及纳米复合材料制备领域。包括如下步骤：采用聚硅氮烷对MXene粉末进行表面修饰，得到PSZ@MXene；将PSZ@MXene表面的聚硅氮烷进行陶瓷化处理，得到陶瓷化的PSZ@MXene粉末；将陶瓷化的PSZ@MXene粉末采用表面活性剂处理，得到表面活性剂修饰的PSZ@MXene；将所述陶瓷化的PSZ@MXene粉末采用表面活性剂处理，得到表面活性剂修饰的PSZ@MXene。本发明得到的纳米复合介电材料具有高介电常数，而且具有低损耗以及可拉伸性，有望应用在柔性可穿戴电子、能源及环境领域。

本发明授权一种基于聚偏氟乙烯基纳米复合介电材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于聚偏氟乙烯基纳米复合介电材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S1、将MXene粉末在100～110℃下真空干燥24～48h，然后在室温下，加入聚硅氮烷和乙醇的混合溶液中，搅拌混合12～48h，然后离心、洗涤和干燥得到PSZ@MXene，所述MXene粉末与聚硅氮烷的质量比为1：0.001～0.1； S2、将所述PSZ@MXene进行低温固化处理得到低温固化后的PSZ@MXene粉末；将低温固化后的PSZ@MXene粉末在惰性气氛下进行高温陶瓷化，得到陶瓷化的PSZ@MXene粉末； S3、将所述陶瓷化的PSZ@MXene粉末、表面活性剂和水进行剪切混合，然后进行真空抽滤、洗涤和干燥，所述陶瓷化的PSZ@MXene粉末、表面活性剂和水的质量比为1g：0.001～0.5g：500g； S4、将聚偏氟乙烯和所述表面活性剂修饰的PSZ@MXene进行熔融或者溶剂共混，得到所述基于聚偏氟乙烯基纳米复合介电材料。

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