浙江省白马湖实验室有限公司林超彪获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江省白马湖实验室有限公司申请的专利一种集成低势垒二极管的鳍式场效应晶体管及其制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120614847B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511113523.1,技术领域涉及:H10D30/62;该发明授权一种集成低势垒二极管的鳍式场效应晶体管及其制造方法是由林超彪;吴鼎;洪凌;孙士恩;范海东;吴田;赵旭;贺海晏;侯鹏;纪培栋;裘闰超;骆周扬设计研发完成,并于2025-08-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种集成低势垒二极管的鳍式场效应晶体管及其制造方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种集成低势垒二极管的鳍式场效应晶体管及其制造方法,涉及功率半导体器件制造领域,晶体管包括:第一型衬底;形成于衬底上的第一型漂移区;形成于漂移区中的第二型阱层;形成于阱层中的源区;从源区上表面向下延伸且贯穿阱层的第一沟槽;形成于第一沟槽的侧壁和底部的保护区;覆盖第一沟槽内表面的栅氧层;填充于第一沟槽中的栅电极;从源区上表面向下延伸至漂移区的第二沟槽;填充于第二沟槽中的源极。本发明中的一种集成低势垒二极管的鳍式场效应晶体管及其制造方法,通过在功率FINFET器件内部集成低势垒二极管作为续流的通路,能够降低器件开关损耗和退化风险,提升器件可靠性。
本发明授权一种集成低势垒二极管的鳍式场效应晶体管及其制造方法在权利要求书中公布了:1.一种集成低势垒二极管的鳍式场效应晶体管,其特征在于,包括:第一型的衬底1;形成于衬底上的第一型的漂移区2;形成于漂移区中的第二型的阱层3;形成于阱层中的源区4;从源区上表面向下延伸且贯穿阱层的第一沟槽5;形成于第一沟槽的侧壁和底部的保护区6;覆盖第一沟槽内表面的栅氧层7;填充于第一沟槽中的栅电极8;从源区上表面向下延伸至漂移区的第二沟槽9;填充于第二沟槽中的源极10;所述保护区6包括侧壁保护区601和底部保护区602,所述侧壁保护区的杂质浓度大于电流扩散层202杂质浓度且小于第一源区401杂质浓度。
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