杭州积海半导体有限公司邹峥获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州积海半导体有限公司申请的专利应用于晶圆光学量测的对准标记结构及量测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120709261B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511220528.4，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权应用于晶圆光学量测的对准标记结构及量测方法是由邹峥;李鹤鸣;孙亚东设计研发完成，并于2025-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本应用于晶圆光学量测的对准标记结构及量测方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种应用于晶圆光学量测的对准标记结构及量测方法，在所述对准标记结构中，对准标记结构设置于晶圆的切割道内，且位于光学量测目标的附近，对准标记结构包括：至少两个对准标记：第一标记和第二标记，第一标记和第二标记的图形为非中心对称图形且图形相异，所有对准标记间隔式镶嵌在多个测量垫之间，且第一标记和第二标记的图形为至少两层或两层以上的晶圆的介质层以上下相同的非中心对称图形套刻制作；第一标记和第二标记之间间隔若干测量垫，光学量测目标位于第一标记和第二标记之间，或者光学量测目标位于第一标记或第二标记的一侧，无需针对不同的产品频繁的重建或修改量测设备的量测程式，便于实现量测程式的标准化和自动化。
本发明授权应用于晶圆光学量测的对准标记结构及量测方法在权利要求书中公布了：1.一种应用于晶圆光学量测的对准标记结构，用于辅助量测设备的光学量测目标的对准，其特征在于，所述对准标记结构设置于晶圆的切割道内，且位于光学量测目标的附近，所述对准标记结构包括： 至少两个对准标记：第一标记和第二标记，所述第一标记和第二标记的图形为非中心对称图形且图形相异，所有所述对准标记间隔式的镶嵌在多个测量垫之间，与所有的所述测量垫共同形成一个整体量测结构，且所述第一标记和第二标记的图形为至少两层的所述晶圆的介质层以上下相同的非中心对称图形套刻制作，以使得上层与下层的对准标记的图形完全重合； 所述第一标记和所述第二标记之间间隔若干的所述测量垫，所述光学量测目标位于所述第一标记和所述第二标记之间，或者所述光学量测目标位于所述第一标记或所述第二标记的一侧。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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