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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学(威海)申请的专利用于高能粒子探测像素传感器的前端读出电路及驱动方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120711304B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511194557.8，技术领域涉及：H04N25/441；该发明授权用于高能粒子探测像素传感器的前端读出电路及驱动方法是由张芮恺;周扬;王晨旭;张亮;宫月红;刘栋;王萌;冯存峰;罗敏;张耀升;王安庆;董家宁;王小利设计研发完成，并于2025-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于高能粒子探测像素传感器的前端读出电路及驱动方法在说明书摘要公布了：本发明提供了用于高能粒子探测像素传感器的前端读出电路及驱动方法，涉及高能粒子探测技术领域，包括PMOS负载、反馈回路、像素阵列、列总线和尾总线，像素阵列中的每一个像素均集成有像素内读出电路，像素内读出电路通过列总线连接PMOS负载及反馈回路，像素内读出电路通过尾总线连接有电流镜NMOS管，像素内读出电路包括NMOS输入差分对、行选通开关、像素二极管及像素复位开关。像素内仅集成了读出电路的NMOS输入差分对、行选通开关、像素二极管及复位开关。该电路通过行选通方式选择接入列级负载的输入极，从而在前端电路中引入负反馈，增强其放大倍数的稳定性，能够通过列端直接对前端读出电路的放大倍数进行调整，从而获得所需的动态范围和分辨率指标。

本发明授权用于高能粒子探测像素传感器的前端读出电路及驱动方法在权利要求书中公布了：1.用于高能粒子探测像素传感器的前端读出电路，其特征在于，包括： 包括PMOS负载、反馈回路、像素阵列、列总线和尾总线，所述像素阵列中的每一个像素均集成有像素内读出电路，所述像素内读出电路通过列总线连接所述PMOS负载及反馈回路，所述PMOS负载及反馈回路被一列内的所有像素共用且设置于列端，所述像素内读出电路通过尾总线连接有电流镜NMOS管，所述像素内读出电路包括NMOS输入差分对、行选通开关、像素二极管及像素复位开关，所述列总线至少包括第一列总线、第二列总线和第三列总线； 所述NMOS输入差分对包括第一NMOS管和第二NMOS管，所述第一NMOS管的漏极连接第三列总线，所述第二NMOS管的漏极连接第二列总线，所述第二NMOS管的栅极连接第一列总线，所述第一NMOS管和第二NMOS管的源极共同连接第二分支点，所述第一NMOS管的栅极连接第三分支点，所述第二分支点还连接行选通NMOS管的漏极，所述第三分支点连接复位NMOS管的源极和像素二极管的阴极； 所述行选通开关包括行选通NMOS管，所述行选通NMOS管的漏极连接所述第二分支点，所述行选通NMOS管的栅极连接行选通信号端，所述行选通NMOS管的源极连接尾总线； 所述电流镜NMOS管设置于尾总线的列端，所述电流镜NMOS管的漏极连接尾总线，所述电流镜NMOS管的栅极连接尾电流源电压偏置，所述电流镜NMOS管的源极接地。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人哈尔滨工业大学(威海)，其通讯地址为：264209 山东省威海市环翠区文化西路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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