东华大学毛志平获国家专利权
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龙图腾网获悉东华大学申请的专利低发射率聚苯二呋喃二酮复合红外隐身材料及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120718316B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511243936.1,技术领域涉及:C08J7/04;该发明授权低发射率聚苯二呋喃二酮复合红外隐身材料及其制备方法是由毛志平;张琳萍;唐晓辉;郑帅;徐红;冯雪凌;钟毅;王碧佳;纪柏林;吴伟;荣立夺设计研发完成,并于2025-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本低发射率聚苯二呋喃二酮复合红外隐身材料及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明属于红外隐身材料技术领域,涉及一种低发射率聚苯二呋喃二酮复合红外隐身材料及其制备方法。所述材料包括相邻的聚苯二呋喃二酮涂层和基底层;聚苯二呋喃二酮的分子量≥10kDa,自掺杂率≥81%。制备方法:将聚苯二呋喃二酮溶液涂覆在基底层的上表面后,干燥去除溶剂,再将基底层的下表面和隔热层的上表面连接,即制得低发射率聚苯二呋喃二酮复合红外隐身材料。本发明提供的低发射率聚苯二呋喃二酮复合红外隐身材料,通过自掺杂机制实现了更低的平均红外发射率,且掺杂状态稳定,能长期维持低发射率,克服了现有涂层降低发射率效果有限、易氧化及掺杂剂易流失的问题。
本发明授权低发射率聚苯二呋喃二酮复合红外隐身材料及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种低发射率聚苯二呋喃二酮复合红外隐身材料,其特征在于,包括相邻的聚苯二呋喃二酮涂层和基底层; 聚苯二呋喃二酮的分子量≥10kDa,自掺杂率≥81%; 所述自掺杂率是指聚苯二呋喃二酮的分子级自掺杂过程中,作为平衡电荷的质子与羰基氧相互作用,导致其化学状态改变的羰基氧占总羰基氧的原子数量百分比。
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