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龙图腾网获悉浙江力夫自控技术股份有限公司申请的专利单晶硅压差传感器长期稳定性测试设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120721291B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511202903.2，技术领域涉及：G01L27/00；该发明授权单晶硅压差传感器长期稳定性测试设备是由刘春涛;黄良丘;王雅琼;吴超;刘小进;李秀敏设计研发完成，并于2025-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本单晶硅压差传感器长期稳定性测试设备在说明书摘要公布了：本发明涉及传感器测试技术领域，具体是涉及单晶硅压差传感器长期稳定性测试设备。包括压力调节机构，所述压力调节机构包括气压仓以及设置在其上的高压管和低压管，气压仓具有分别连通高压管和低压管的独立空腔，压力调节机构还包括分别设置在每个独立空腔中的活塞，活塞上开设有单向补压通道和单向泄压通道，每个活塞上均设有能够分别或同时关闭单向补压通道和单向泄压通道的挡板结构。本发明通过挡板结构对单向补压通道和单向泄压通道的开闭控制，确保了补压路径与泄压路径之间的可靠切换，并结合活塞运动，实现了独立空腔内压力状态的精准控制与长期稳定维持，为单晶硅压差传感器的长期稳定性测试提供了高精度、高稳定性的测试环境。

本发明授权单晶硅压差传感器长期稳定性测试设备在权利要求书中公布了：1.单晶硅压差传感器长期稳定性测试设备，其特征在于，包括压力调节机构2，所述压力调节机构2包括气压仓21以及设置在其上的高压管22和低压管23； 气压仓21具有分别连通高压管22和低压管23的独立空腔211，其中高压管22和低压管23分别用以连接单晶硅压差传感器1的高压接口11和低压接口12，气压仓21上分别开设有用以连通高压管22的高压输入口2111和用以连通低压管23的低压输入口2112； 压力调节机构2还包括分别设置在每个独立空腔211中的活塞3，所述活塞3能够在独立空腔211中贴合着其内壁做直线往复运动，活塞3上沿其运动方向开设有单向补压通道31和单向泄压通道32，每个活塞3上均设有能够分别或同时关闭单向补压通道31和单向泄压通道32的挡板结构4； 在单向补压通道31和单向泄压通道32同时被关闭时，独立空腔211处于密闭状态； 在单向补压通道31被单独关闭且活塞3向内运动时，独立空腔211处于泄压状态； 在单向泄压通道32被单独关闭且活塞3向外运动时，独立空腔211处于补压状态。

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