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龙图腾网获悉石家庄科林电气股份有限公司申请的专利一种数据存储方法及装置、电能表、存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120723668B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511233972.X，技术领域涉及：G06F12/02；该发明授权一种数据存储方法及装置、电能表、存储介质是由白明;张权;李峥;翟志国;许晓莉;李伟;段高磊;孙天运;王世兴;刘玉新;刘旭阳设计研发完成，并于2025-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种数据存储方法及装置、电能表、存储介质在说明书摘要公布了：本申请提供了一种数据存储方法及装置、电能表、存储介质，属于数据存储技术领域，该方法包括：循环执行数据写入操作，直至接收到停止指令；其中，数据写入操作包括：向EEPROM单元的当前写入地址实时写入待存储数据，并更新写入的累计时长和当前写入地址；响应于累计时长大于或等于第一时长，将在累计时长内写入EEPROM单元的数据确定为目标数据，从EEPROM单元中读取目标数据，将目标数据写入Flash单元，并将累计时长清零；响应于EEPROM单元的当前写入地址为第一指定地址，将EEPROM单元的当前写入地址初始化为第二指定地址。本申请提供的一种数据存储方法及装置、电能表、存储介质可以同时满足电能表对实时访问效率和大量数据长期存储的需求。

本发明授权一种数据存储方法及装置、电能表、存储介质在权利要求书中公布了：1.一种数据存储方法，应用于电能表，其特征在于，所述电能表包括控制器、EEPROM单元和Flash单元，所述方法由所述控制器执行，所述方法包括： 循环执行数据写入操作，直至接收到停止指令； 其中，所述数据写入操作包括： 向所述EEPROM单元的当前写入地址实时写入待存储数据，并更新写入的累计时长和当前写入地址；所述累计时长基于所述待存储数据的时间戳确定； 响应于所述累计时长大于或等于第一时长，将在所述累计时长内写入所述EEPROM单元的数据确定为目标数据，从所述EEPROM单元中读取所述目标数据，将所述目标数据写入所述Flash单元，并将所述累计时长清零；其中，所述Flash单元包括多个数据存储页，每个所述数据存储页的存储长度为第一字节数量，所述EEPROM单元中设置有每个所述数据存储页对应的索引区域；所述将所述目标数据写入所述Flash单元，包括： 基于所述第一字节数量将所述目标数据划分为多个目标数据段； 从第三指定地址开始，多次执行Flash写入操作，直至遍历所有的目标数据； 第i次Flash写入操作包括： 从所述EEPROM单元中读取第i个目标数据段，将所述第i个目标数据段写入所述Flash单元的当前数据存储页； 响应于接收到所述Flash单元返回的写入完成信息，从所述Flash单元中回读所述当前数据存储页的数据，得到回读数据； 计算所述第i个目标数据段对应的当前海明码，基于所述当前海明码对所述回读数据进行校验，若校验结果显示所述回读数据存在1bit错误，则将所述当前海明码写入所述EEPROM单元中当前数据存储页对应的索引区域； 在第一次Flash写入操作中，所述当前数据存储页为所述第三指定地址确定的数据存储页； 在其他次Flash写入操作中，所述当前数据存储页为上一个当前数据存储页的下一页； 所述第一时长的确定方式包括： 若校验结果显示，连续M次执行Flash写入操作中，所述回读数据出现写入错误的次数大于N，将所述第一时长设置为第一数值；其中，M和N均为自然数，且M≥N； 若校验结果显示，连续的M次数据写入操作中，所述回读数据出现写入错误的次数小于或等于N，基于控制器在第二时长内的平均使用率确定所述第一时长； 响应于所述EEPROM单元的当前写入地址为第一指定地址，将所述EEPROM单元的当前写入地址初始化为第二指定地址。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人石家庄科林电气股份有限公司，其通讯地址为：050222 河北省石家庄市鹿泉区红旗大街南降壁路段755号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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