武汉羿变电气有限公司毛锦进获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉羿变电气有限公司申请的专利功率半导体装置及其封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120727695B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511203356.X，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权功率半导体装置及其封装方法是由毛锦进;黄志召;李宇雄;段三丁;陈材;康勇设计研发完成，并于2025-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率半导体装置及其封装方法在说明书摘要公布了：本申请公开了功率半导体装置及其封装方法，该功率半导体装置的第一覆铜陶瓷基板和第二覆铜陶瓷基板并列设置于壳体；第一相桥、第二相桥、第三相桥、第四相桥、第五相桥以及第六相桥依次并排设置于第一覆铜陶瓷基板上；第七相桥、第八相桥、第九相桥、第十相桥、第十一相桥以及第十二相桥依次并排设置于第二覆铜陶瓷基板上；其中，第一覆铜陶瓷基板的各个相桥形成的图案，与第二覆铜陶瓷基板的各个相桥形成的图案对称设置。因此，本申请的功率半导体装置可保证每相电路的寄生参数相同，有利于降低功率半导体装置的寄生参数，以减少不同相桥电路差异性并提高功率半导体装置的均流性。
本发明授权功率半导体装置及其封装方法在权利要求书中公布了：1.一种十二相桥的功率半导体装置，其特征在于，包括： 壳体， 第一覆铜陶瓷基板和第二覆铜陶瓷基板，并列设置于所述壳体； 第一相桥、第二相桥、第三相桥、第四相桥、第五相桥以及第六相桥，依次并排设置于所述第一覆铜陶瓷基板上； 第七相桥、第八相桥、第九相桥、第十相桥、第十一相桥以及第十二相桥，依次并排设置于所述第二覆铜陶瓷基板上； 其中，所述第一相桥、所述第二相桥、所述第三相桥、所述第四相桥、所述第五相桥以及所述第六相桥在所述第一覆铜陶瓷基板上形成的图案，与所述第七相桥、所述第八相桥、所述第九相桥、所述第十相桥、所述第十一相桥以及所述第十二相桥在所述第二覆铜陶瓷基板上形成的图案对称设置。
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