山东大学崔鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉山东大学申请的专利一种源场板连接的P-N结结场板GaN功率器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120730770B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511138179.1，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种源场板连接的P-N结结场板GaN功率器件是由崔鹏;齐开发;韩吉胜;汉多科·林纳威赫;徐现刚设计研发完成，并于2025-08-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种源场板连接的P-N结结场板GaN功率器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种源场板连接的P‑N结结场板GaN功率器件，属于半导体器件技术领域，自下而上依次包括衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层两侧分别设置源电极和漏电极，AlGaN势垒层上方设置有栅电极，栅电极和漏电极之间设置有N型掺杂的GaN帽层，在N型掺杂的GaN帽层上方设置有P‑N结结场板，源电极延长出源场板，在高漏极电压偏置时，形成的梯度的电势差从而对沟道电场起到改善作用，并借助源场板连接，源场板将源极和P‑N结连接，使得P‑N结两端形成电势差。优化器件沟道处的电场分布，可以提升器件的击穿电压，有力提高HEMT器件的击穿特性。
本发明授权一种源场板连接的P-N结结场板GaN功率器件在权利要求书中公布了：1.一种源场板连接的P-N结结场板GaN功率器件，其特征在于，自下而上依次包括衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插层和AlGaN势垒层，所述GaN沟道层上方AlGaN势垒层两侧分别设置有源电极和漏电极，在靠近源电极的AlGaN势垒层上方设置有栅电极，栅电极和漏电极之间的AlGaN势垒层上方设置有N型掺杂的GaN帽层，在N型掺杂的GaN帽层上方设置有P-N结结场板，P-N结结场板为同一水平面横向并排设置的P型掺杂的AlGaN和N型掺杂的AlGaN形成，在所述P-N结结场板、AlGaN势垒层和栅电极上方设置有钝化层，在所述钝化层上方设置有源电极延长出的源场板，源场板与P型掺杂的AlGaN最左侧上方相连接，源场板与漏电极不接触。
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