嘉善复旦研究院张立龙获国家专利权
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龙图腾网获悉嘉善复旦研究院申请的专利一种半导体中子探测器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120730849B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511177261.5，技术领域涉及：H10F30/29；该发明授权一种半导体中子探测器及其制造方法是由张立龙;王凯;张柏诚;余念文设计研发完成，并于2025-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体中子探测器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体中子探测器及其制造方法。一种半导体中子探测器，包括：半导体衬底层；形成于所述半导体衬底层表面的沟槽阵列，所述沟槽阵列在所述半导体衬底层表面限定出隔离于所述沟槽阵列的槽底区域的半导体台面区域；填充于所述沟槽阵列内的中子转换材料层；设于所述半导体衬底层背面的背面欧姆接触层；以及，设于所述半导体台面区域表面的正面欧姆接触层；其中，所述沟槽阵列由多个十字交叉单元沟槽以密堆积镶嵌形式排布而成，从而限定出所述半导体台面区域为连续的二维互连网格结构。本发明提高半导体台面区域的力学稳定性，有效避免其在制造过程或应用中发生倒塌、折损或断裂，且实现器件可靠性与性能的协同提升。
本发明授权一种半导体中子探测器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体中子探测器，其特征在于：该半导体中子探测器包括： 半导体衬底层； 形成于所述半导体衬底层表面的沟槽阵列，所述沟槽阵列在所述半导体衬底层表面限定出隔离于所述沟槽阵列的槽底区域的半导体台面区域； 填充于所述沟槽阵列内的中子转换材料层； 设于所述半导体衬底层背面的背面欧姆接触层；以及， 设于所述半导体台面区域表面的正面欧姆接触层； 其中，所述沟槽阵列由多个十字交叉单元沟槽以密堆积镶嵌形式排布而成，从而限定出所述半导体台面区域为连续的二维互连网格结构；每个所述十字交叉单元沟槽均由两个相互垂直交叉的沟槽段构成，每个沟槽段的宽度Tw、每个沟槽段的长度L、以及相邻沟槽段之间被所述半导体台面区域所分隔的间距Tg满足以下关系式：L=3Tw+2Tg。
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