合肥晶合集成电路股份有限公司李猛猛获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120749019B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511212097.7，技术领域涉及：H01L21/322；该发明授权一种半导体结构的制备方法是由李猛猛;唐鹏飞;魏巍设计研发完成，并于2025-08-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体结构的制备方法。制备方法包括如下步骤：提供基底，基底包括衬底、垫氧化层和至少一个沟槽组，沟槽组包括第一沟槽和第二沟槽，垫氧化层形成于衬底的表面，第一沟槽和第二沟槽设置于衬底内且上部贯穿垫氧化层；在第一沟槽的侧壁上和第二沟槽的侧壁上形成第一阻挡层；在第一阻挡层的侧壁上形成第二阻挡层；在第二沟槽两侧的第二阻挡层之间形成隔离层；将第二阻挡层替换成自下而上依次设置的第一外延层和重掺杂区，将第一阻挡层替换成自下而上依次设置的第二外延层和轻掺杂区；在第一沟槽与第二沟槽之间的沟道上形成栅极结构，在栅极结构的两侧形成侧墙结构。本发明的制备方法可简化制作工艺，提高生产效率，降低制作成本。
本发明授权一种半导体结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供基底，所述基底包括衬底、垫氧化层和至少一个沟槽组，所述沟槽组包括第一沟槽和第二沟槽，所述垫氧化层形成于所述衬底的表面，所述第一沟槽和所述第二沟槽设置于所述衬底内，且上部贯穿所述垫氧化层形成开口，所述第一沟槽的宽度小于所述第二沟槽的宽度； 在所述第一沟槽的两侧侧壁上和所述第二沟槽的两侧侧壁上分别形成第一阻挡层； 在所述第一沟槽内和所述第二沟槽内的所述第一阻挡层的侧壁上分别形成第二阻挡层，并使所述第二阻挡层填满所述第一沟槽； 在所述第二沟槽两侧的所述第二阻挡层之间形成隔离层； 将所述第二阻挡层替换成自下而上依次设置的第一外延层和重掺杂区，将所述第一阻挡层替换成自下而上依次设置的第二外延层和轻掺杂区； 在所述第一沟槽与所述第二沟槽之间的沟道上形成栅极结构，在所述栅极结构的两侧形成侧墙结构。
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