买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉西北工业大学申请的专利一种基于三点注入的宽带注入锁定四分频器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120750342B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511273188.1，技术领域涉及：H03K23/00；该发明授权一种基于三点注入的宽带注入锁定四分频器是由崔媛媛;张洵颖;李臻;赵晓冬设计研发完成，并于2025-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于三点注入的宽带注入锁定四分频器在说明书摘要公布了：本发明公开一种基于三点注入的宽带注入锁定四分频器，涉及射频集成电路技术领域，用于解决现有技术采用的单点或双节点注入方式，导致实际锁定带宽范围不足，以及工作频率下降的技术问题；本发明的基于三点注入的宽带注入锁定四分频器，包括第一环振单元和第二环振单元；其中，n个第一环振单元串联形成链式结构，n为大于或等于3的奇数；第二环振单元被配置有直接注入单元、尾电流注入单元和交叉耦合反相器注入单元；链式结构差分输出端连接第二环振单元差分输入端；通过在直接注入单元、尾电流注入单元和或交叉耦合反相器注入单元注入第一信号；第二环振单元接收来自第一环振单元的第二信号，并通过第二环振单元转换为四分频信号。

本发明授权一种基于三点注入的宽带注入锁定四分频器在权利要求书中公布了：1.一种基于三点注入的宽带注入锁定四分频器，其特征在于，包括： 第一环振单元，n个所述第一环振单元串联形成链式结构； 第二环振单元，被配置有直接注入单元、尾电流注入单元和交叉耦合反相器注入单元；所述链式结构的差分输出端连接所述第二环振单元的差分输入端； 通过在所述直接注入单元、尾电流注入单元和或交叉耦合反相器注入单元注入第一信号；所述第二环振单元接收来自第一环振单元的第二信号，该第二信号通过所述第二环振单元转换为第三信号，该第三信号为四分频信号； 其中，n为大于或等于3的奇数； 所述直接注入单元的第一输出端连接所述交叉耦合反相器注入单元的第一输出端，所述直接注入单元的第二输出端连接所述交叉耦合反相器注入单元的第二输出端；所述交叉耦合反相器注入单元的共源节点连接所述尾电流注入单元； 所述直接注入单元包括第一NMOS晶体管、第一电容和第一电阻；所述第一电容的第一端与第一注入信号连接，所述第一电阻的第二端与偏置电压连接；所述第一NMOS晶体管的栅极端与所述第一电容的第二端和第一电阻的第一端连接，所述第一NMOS晶体管的漏极端与该直接注入单元的第一输出端连接，所述第一NMOS晶体管的源极端与该直接注入单元的第二输出端连接； 所述尾电流注入单元包括第十四NMOS晶体管、第二电容和第二电阻；所述第二电容的第一端与第一注入信号连接，所述第二电阻的第二端与偏置电压连接；所述第十四NMOS晶体管的栅极端与所述第二电容的第二端和第二电阻的第一端连接，所述第十四NMOS晶体管的漏极端与共源节点连接，所述第十四NMOS晶体管的源极端与电源地端连接； 所述交叉耦合反相器注入单元包括第四PMOS晶体管、第五PMOS晶体管、第六NMOS晶体管、第七NMOS晶体管、第八PMOS晶体管、第九PMOS晶体管、第十NMOS晶体管和第十一NMOS晶体管；所述第四PMOS晶体管的栅极端与所述第七NMOS晶体管的栅极端连接，所述第四PMOS晶体管的源极端与电源端连接，所述第四PMOS晶体管的漏极端与所述第五PMOS晶体管的源极端连接；所述第五PMOS晶体管的栅极端与第二注入信号连接，所述第五PMOS晶体管的漏极端与所述第六NMOS晶体管的漏极端连接；所述第六NMOS晶体管的栅极端与第三注入信号连接，所述第六NMOS晶体管的源极端与所述第七NMOS晶体管的漏极端连接，所述第七NMOS晶体管的源极端与所述第十一NMOS晶体管的源极端连接；所述第八PMOS晶体管的栅极端与所述第十一NMOS晶体管的栅极端连接，所述第八PMOS晶体管的源极端与电源端连接，所述第八PMOS晶体管的漏极端与所述第九PMOS晶体管的源极端连接；所述第九PMOS晶体管的栅极端与第三注入信号连接，所述第九PMOS晶体管的漏极端与所述第十NMOS晶体管的漏极端连接；所述第十NMOS晶体管的栅极端与第三注入信号连接，所述第十NMOS晶体管的源极端与所述第十一NMOS晶体管的漏极端连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西北工业大学，其通讯地址为：710072 陕西省西安市碑林区友谊西路127号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。