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龙图腾网获悉复旦大学申请的专利一种三面沟槽结构的碳化硅沟槽MOSFET器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120751722B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511202684.8，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种三面沟槽结构的碳化硅沟槽MOSFET器件及制备方法是由马宏平;白照鹏设计研发完成，并于2025-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种三面沟槽结构的碳化硅沟槽MOSFET器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种三面沟槽结构的碳化硅沟槽MOSFET器件及制备方法，包括：在碳化硅衬底上生长碳化硅外延，注入形成P‑well区；在P‑well区上形成第一阻挡层，注入形成P+区；去除第一阻挡层，形成第二阻挡层，进行注入形成N+区；去除第二阻挡层，对P‑well区、P+区和N+区同时进行快速热退火；形成第三阻挡层，进行刻蚀形成栅极沟槽区；去除第三阻挡层，进行干氧热氧化，形成栅极氧化层；使用化学气相沉积，形成多晶硅；对多晶硅进行掺杂后，进行刻蚀形成栅极；沉积金属形成漏极和源极，并对漏极和源极进行快速热退火形成欧姆接触。通过设置三面沟槽结构增大了沟道的面积，减少了通导电阻。

本发明授权一种三面沟槽结构的碳化硅沟槽MOSFET器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种三面沟槽结构的碳化硅沟槽MOSFET器件的制备方法，其特征在于，包括： 步骤S1，在碳化硅衬底101上外延生长碳化硅外延102，对所述碳化硅外延102进行多次进行铝离子注入或者铝离子与硼离子共同注入形成P-well区103； 步骤S2，在所述P-well区103上形成第一阻挡层21，进行多次铝离子注入或者铝离子与硼离子共同注入形成P+区104； 步骤S3，去除所述第一阻挡层21，形成第二阻挡层22，进行多次氮离子注入形成N+区105； 步骤S4，去除所述第二阻挡层22，对所述P-well区103、所述P+区104和所述N+区105同时进行快速热退火； 步骤S5，形成第三阻挡层23，进行刻蚀形成栅极沟槽区106； 步骤S6，去除第三阻挡层23，进行RCA清洗，清洗后在炉管中干氧热氧化，去除所述P+区104和所述N+区105上方的氧化层，在所述栅极沟槽区106形成栅极氧化层107； 步骤S7，对所述栅极氧化层107使用化学气相沉积进行多步沉积，形成多晶硅；对多晶硅进行掺杂后，进行刻蚀形成栅极108； 步骤S8，在所述碳化硅衬底101的背面沉积金属形成漏极109，在所述P+区104和部分所述N+区105上方沉积金属形成源极110，并对所述漏极109和所述源极110进行快速热退火形成欧姆接触，制备得到三面沟槽结构的碳化硅沟槽MOSFET器件。

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